[发明专利]被动均衡控制保护电路及大电流被动均衡控制保护电路在审

专利信息
申请号: 202110106455.1 申请日: 2021-01-26
公开(公告)号: CN112688401A 公开(公告)日: 2021-04-20
发明(设计)人: 姚敦平;郑岳军 申请(专利权)人: 东莞市峰谷科技有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00;H02H9/02
代理公司: 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 代理人: 黄焯辉
地址: 523000 广东省东莞市松山湖高*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 被动 均衡 控制 保护 电路 电流
【权利要求书】:

1.一种被动均衡控制保护电路,其特征在于:包括限流电阻、灯珠、均衡MOS管以及MOS管控制电路,电芯与所述限流电阻、灯珠、均衡MOS管相互连接在一起,所述MOS管控制电路与所述均衡MOS管的栅极连接。

2.根据权利要求1所述的一种被动均衡控制保护电路,其特征在于:所述限流电阻为限流电阻R4,所述灯珠为LED1,所述均衡MOS管为MOS管Q2,电芯的正极BAT+与所述限流电阻R4的一端连接,所述限流电阻R4的另一端与LED1的阳极连接,所述LED1的阴极与MOS管Q2的漏极连接,电芯的负极BAT-与MOS管Q2的源极连接,所述MOS管控制电路包括电池管理芯片,所述MOS管Q2的栅极与电池管理芯片的均衡控制脚EQ连接。

3.根据权利要求2所述的一种被动均衡控制保护电路,其特征在于:所述被动均衡控制保护电路还包括电阻R5和电阻R6,所述电阻R5的一端与MOS管Q2的栅极以及电阻R6的一端连接,所述电阻R5的另一端与电池管理芯片的均衡控制脚EQ连接,所述电阻R6的另一端与MOS管Q2的源极和电芯的负极BAT-连接。

4.根据权利要求1所述的一种被动均衡控制保护电路,其特征在于:所述限流电阻为限流电阻R4,所述灯珠为LED1,所述均衡MOS管为MOS管Q2,电芯的正极BAT+与所述LED1的阳极连接,所述LED1的阴极与限流电阻R4的一端连接,所述限流电阻R4的另一端与MOS管Q2的漏极连接,电芯的负极BAT-与MOS管Q2的源极连接,所述MOS管控制电路包括电池管理芯片,所述MOS管Q2的栅极与电池管理芯片的均衡控制脚EQ连接。

5.根据权利要求4所述的一种被动均衡控制保护电路,其特征在于:所述被动均衡控制保护电路还包括电阻R5和电阻R6,所述电阻R5的一端与MOS管Q2的栅极以及电阻R6的一端连接,所述电阻R5的另一端与电池管理芯片的均衡控制脚EQ连接,所述电阻R6的另一端与MOS管Q2的源极和电芯的负极BAT-连接。

6.一种大电流被动均衡控制保护电路,其特征在于:包括多个分别并联在电芯两端的如权利要求1-5任一项所述的被动均衡控制保护电路。

7.根据权利要求6所述的一种大电流被动均衡控制保护电路,其特征在于:多个被动均衡控制保护电路包括分别并联在电芯两端的第一均衡支路和第二均衡支路,所述MOS管控制电路包括电池管理芯片;所述第一均衡支路包括限流电阻RA1、LED灯珠LEDA1、均衡MOS管QA1、电阻RB1和电阻RC1;

所述第二均衡支路包括限流电阻RB1、LED灯珠LEDB2、均衡MOS管QA2、电阻RB2和电阻RC2;

电芯的正极BAT+连接限流电阻RA1的一端,限流电阻RA1的另一端连接LED灯珠LEDA1的阳极,LED灯珠LEDA1的阴极连接均衡MOS管QA1的漏级,均衡MOS管QA1的源级连接电芯的负极BAT-和电阻RC1的一端,电阻RC1的另一端连接均衡MOS管QA1的栅极和电阻RB1的一端,电阻RB1的另一端连接电池管理芯片的均衡控制脚EQ;

电芯的正极BAT+连接流电阻RA2的一端,限流电阻RA2的另一端连接LED灯珠LEDA2的阳极,LED灯珠LEDA2的阴极连接均衡MOS管QA2的漏级,均衡MOS管QA2的源级连接电芯的负极BAT-和电阻RC2的一端,电阻RC2的另一端连接均衡MOS管QA2的栅极和电阻RB2的一端,电阻RB2的另一端连接电池管理芯片均衡控制脚EQ。

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