[发明专利]一种与偏振无关的铌酸锂光隔离器

权利要求书

1.一种与偏振无关的铌酸锂光隔离器，其特征在于，包括一体成型的第一干涉臂（1）、第二干涉臂（2）、第一耦合器（3）及第二耦合器（4），所述第一耦合器（3）及第二耦合器（4）分别形成在所述第一干涉臂（1）、第二干涉臂（2）的两端，所述第一干涉臂（1）、第二干涉臂（2）沿长度方向均至少包括互易波导和非互易波导，其中：

所述第一干涉臂（1）的互易波导与第二干涉臂（2）的互易波导长度不同；

所述非互易波导包括磁光波导和铌酸锂脊波导，所述磁光波导位于所述铌酸锂脊波导的平板波导上方，所述磁光波导与铌酸锂脊波导的脊沿宽度方向并排形成；

所述第一耦合器（3）及第二耦合器（4）为铌酸锂脊波导，实现同时对横模和纵模的反向输入光的隔离。

2.根据权利要求1所述的与偏振无关的铌酸锂光隔离器，其特征在于，所述光的模式包括横模基模、纵模基模或两者的结合。

3.根据权利要求1所述的与偏振无关的铌酸锂光隔离器，其特征在于，所述第一干涉臂（1）与第二干涉臂（2）中互易波导的长度之差使两束光产生π/2+2mπ相移，其中m为整数。

4.根据权利要求3所述的与偏振无关的铌酸锂光隔离器，其特征在于，正向传输的光经过所述非互易波导后产生的相移为-π/2+2nπ，反向传输的光经过所述非互易波导后产生的相移为π/2+2nπ，其中n为整数。

5.根据权利要求1所述的与偏振无关的铌酸锂光隔离器，其特征在于，所述磁光波导的磁光材料为具有大法拉第系数的磁致旋光材料。

6.根 据权利要求5所述的与偏振无关的铌酸锂光隔离器，其特征在于，所述磁光材料为掺杂型稀土铁石榴石。

7.根据权利要求6所述的与偏振无关的铌酸锂光隔离器，其特征在于，所述磁光材料为铈掺杂钇铁石榴石。

8.根据权利要求7所述的与偏振无关的铌酸锂光隔离器，其特征在于，所述非互易波导上的磁场垂直于光传播方向并倾斜45°，磁场大小不小于所述磁光材料的饱和磁化强度。

9.根据权利要求1所述的与偏振无关的铌酸锂光隔离器，其特征在于，所述光隔离器的下包层为氧化硅材料，衬底为铌酸锂材料，上包层为空气、氧化硅材料或其他折射率小于铌酸锂的半导体材料。

10.根据权利要求1所述的与偏振无关的铌酸锂光隔离器，其特征在于，所述第一耦合器（3）将正向传输的光分成两路相同的两束光，所述第二耦合器（4）将两束光合成一束光，并经过其输出端输出。

11.根据权利要求10所述的与偏振无关的铌酸锂光隔离器，其特征在于，所述第一耦合器（3）及第二耦合器（4）包括1×2定向耦合器、1×2多模干涉耦合器。