[发明专利]一种铌酸锂横模光隔离器在审
| 申请号： | 202110106897.6 | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN112764247A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 李明轩;赵奕儒;戴双兴;李金野;刘建国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G02F1/09 | 分类号： | G02F1/09;G02F1/095 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王文思 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 铌酸锂横模光 隔离器 | ||
1.一种铌酸锂横模光隔离器，其特征在于，包括一体成型的第一干涉臂(1)、第二干涉臂(2)、第一耦合器(3)及第二耦合器(4)，所述第一耦合器(3)及第二耦合器(4)分别形成在所述第一干涉臂(1)、第二干涉臂(2)的两端，所述第一干涉臂(1)、第二干涉臂(2)沿长度方向均至少包括互易波导、非互易波导，其中：
所述第一干涉臂(1)的互易波导与第二干涉臂(2)的互易波导长度不同；
所述非互易波导包括磁光波导和铌酸锂波导，所述磁光波导和铌酸锂波导沿宽度方向并排形成。
2.根据权利要求1所述的铌酸锂横模光隔离器，其特征在于，所述第一干涉臂(1)与第二干涉臂(2)中互易波导的长度之差使两束光产生π/2+2mπ相移，其中m为整数。
3.根据权利要求1所述的铌酸锂横模光隔离器，其特征在于，所述磁光波导的磁光材料为具有大法拉第系数的磁致旋光材料，包括掺杂型稀土铁石榴石材料。
4.根据权利要求3所述的铌酸锂横模光隔离器，其特征在于，所述磁光材料为铈掺杂钇铁石榴石。
5.根据权利要求1所述的铌酸锂横模光隔离器，其特征在于，所述光隔离器的下包层为氧化硅材料，衬底为铌酸锂材料，上包层为空气、氧化硅材料或其他折射率小于铌酸锂的半导体材料。
6.根据权利要求1所述的铌酸锂横模光隔离器，其特征在于，所述第一耦合器(3)和第二耦合器(4)为铌酸锂条形波导，其中第一耦合器(3)将所述正向传输的横模光分成两路相同的两束光，第二耦合器(4)将两束光合成一束光，并经过其输出端输出。
7.根据权利要求6所述的铌酸锂横模光隔离器，其特征在于，所述第一耦合器(3)和第二耦合器(4)包括1×2定向耦合器、Y型波导耦合器、1×2多模干涉耦合器。
8.根据权利要求1所述的铌酸锂横模光隔离器，其特征在于，所述非互易波导上的磁场为竖直磁场。
9.根据权利要求1所述的铌酸锂横模光隔离器，其特征在于，所述互易波导高度范围为300～700nm，宽度范围为400～1000nm。
10.根据权利要求9所述的铌酸锂横模光隔离器，其特征在于，所述非互易波导高度范围为300～700nm，宽度范围为400～1000nm，其中磁光波导的宽度范围为50～950nm。
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