[发明专利]包括超晶格图案的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一区域和第二区域，分别形成在衬底中；

第一有源图案，从所述第一区域向上延伸；

第一超晶格图案，在所述第一有源图案上；

第一有源鳍，居中设置在所述第一有源图案上；

第一栅电极，设置在所述第一有源鳍上；以及

第一源极/漏极图案，设置在第一有源鳍的相对侧和所述第一有源图案上，

其中，所述第一超晶格图案包括至少一个第一半导体层和至少一个第一含阻挡剂层，以及

所述至少一个第一含阻挡剂层包括氧、碳、氟和氮中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述至少一个第一半导体层包括多个第一半导体层，并且所述至少一个第一含阻挡剂层包括多个第一含阻挡剂层，

所述多个第一半导体层中的每个第一半导体层与所述多个第一含阻挡剂层中的对应的第一含阻挡剂层竖直且相邻地堆叠以形成对，以及

所述第一超晶格图案包括1对至10对之间的对。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述多个第一半导体层中的每个第一半导体层的厚度在约1nm至10nm的范围内，以及

所述多个第一含阻挡剂层中的每个第一含阻挡剂层的厚度在约1nm至5nm的范围内。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一超晶格图案在所述第一有源图案与所述第一有源鳍之间延伸。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一超晶格图案接触所述第一源极/漏极图案的底表面和侧壁的至少一部分。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一超晶格图案接触所述第一源极/漏极图案的底表面，并且设置在所述第一有源图案和所述第一有源鳍之间，

所述第一超晶格图案在所述第一有源图案和所述第一有源鳍之间具有第一厚度，并且在所述第一有源图案和所述第一源极/漏极图案之间具有第二厚度，以及

所述第一厚度大于所述第二厚度。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一超晶格图案接触所述第一源极/漏极图案的底表面并且与所述第一源极/漏极图案的侧壁间隔开，以及

所述第一超晶格图案在所述第一源极/漏极图案的底表面的中心下方比在所述第一源极/漏极图案的底表面的边缘下方厚。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一有源鳍包括竖直堆叠的沟道图案，以及

所述第一栅电极在相应的沟道图案之间延伸，并且在所述第一有源图案和所述沟道图案中的最下面的一个沟道图案之间延伸。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一有源鳍包括竖直堆叠的沟道图案，

所述第一栅电极在相应的沟道图案之间延伸，以及

所述沟道图案中的最下面的一个沟道图案接触所述第一超晶格图案。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第二有源图案，从所述第二区域向上延伸；

第二超晶格图案，在所述第二有源图案上；

第二有源鳍，居中设置在所述第二有源图案上；

第二栅电极，设置在所述第二有源鳍上；以及

第二源极/漏极图案，设置在所述第二有源图案上的所述第二有源鳍的相对侧上，

其中，所述第二超晶格图案包括至少一个第二半导体层和至少一个第二含阻挡剂层，以及

所述至少一个第二含阻挡剂层包括氧、碳、氟和氮中的至少一种。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述至少一个第一含阻挡剂层包括与所述至少一个第二含阻挡剂层不同的材料。

12.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述第一超晶格图案的厚度与所述第二超晶格图案的厚度不同。