[发明专利]一种阵列基板制程方法、阵列基板及显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板制程方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

在所述基板上设置钙钛矿层；

在所述钙钛矿层远离所述基板的一侧设置嵌段共聚物层；

提供一薄板，将所述薄板设置在所述嵌段共聚物层上；

向所述薄板施加预设压强，使所述预设压强作用压力于所述嵌段共聚物层，所述预设压强的大小为100Pa至100000Pa；

向平行所述嵌段共聚物层方向，以预设速度移动所述薄板以对所述嵌段共聚物层进行机械力剪切处理，其中，所述机械力剪切处理使所述嵌段共聚物层部分发生结晶，未结晶部分形成第一图案化结构，所述预设速度的大小为0.05m/s至1m/s；

对所述嵌段共聚物层进行溶剂熏蒸处理以使所述嵌段共聚物层对应所述第一图案化结构形成第二图案化结构；

对所述嵌段共聚物层进行显影处理，采用显影溶剂对所述嵌段共聚物层进行显影处理，所述显影溶剂包括石油醚、正烷烃、环烷烃中的任一种或多种组合，所述显影处理的时间为1分钟至60分钟，使所述嵌段共聚物层上对应所述第一图案化结构形成第三图案化结构，并激发所述钙钛矿层发光；其中，所述第三图案化结构具有多个通孔，所述钙钛矿层透过多个所述通孔进行图案化发光。

2.根据权利要求1所述的阵列基板制程方法，其特征在于，所述对所述嵌段共聚物层进行溶剂熏蒸处理包括：

在密闭容器内对熏蒸溶剂进行熏蒸；

将所述嵌段共聚物置于所述密闭容器内进行溶剂熏蒸处理；

其中，所述溶剂熏蒸处理使所述嵌段共聚物层对应所述第一图案化结构形成第二图案化结构。

3.根据权利要求2所述的阵列基板制程方法，其特征在于，所述溶剂熏蒸处理的时间为10分钟至200分钟，所述熏蒸溶剂包括氯仿、丙酮和二氯乙烷中的任一种或多种组合。

4.根据权利要求1所述的阵列基板制程方法，其特征在于，所述嵌段共聚物层采用的材料为聚甲基丙烯酸甲酯-b-聚苯乙烯、聚乙烯吡啶-b-聚丁二酯和聚苯乙烯-b-聚2-乙烯吡啶中的任一种。

5.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板采用如权利要求1-4任一项所述的阵列基板的制程方法制得，所述阵列基板包括：

基板；

钙钛矿层，所述钙钛矿层设置在所述基板上；

嵌段共聚物层，所述嵌段共聚物层在所述钙钛矿层远离所述基板的一侧，所述嵌段共聚物层上设有多个通孔；

其中，所述钙钛矿层透过多个所述通孔进行图案化发光。

6.一种显示面板，其特征在于，包括一种阵列基板，所述阵列基板为权利要求5所述的阵列基板。