[发明专利]一种RF MEMS开关的原位薄膜封装方法在审
| 申请号： | 202110108281.2 | 申请日： | 2021-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN112919405A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 王俊强;曹钎龙;李孟委;吴倩楠;余建刚 | 申请（专利权）人： | 中北大学南通智能光机电研究院 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;H01H49/00;H01H59/00 |
| 代理公司： | 太原荣信德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14119 | 代理人： | 杨凯;连慧敏 |
| 地址： | 226000 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 rf mems 开关 原位 薄膜 封装 方法 | ||
1.一种RF MEMS开关的原位薄膜封装方法，其特征在于：包括下列步骤：
S1、提供一未释放牺牲层的RF MEMS开关晶圆，在衬底上完成信号线和悬臂梁的结构的制作；
S2、对晶圆进行第一次匀胶、光刻、显影工艺；
S3、在晶圆上沉积一层薄膜；
S4、对晶圆进行第二次匀胶、光刻工艺，并留出释放孔位置；
S5、对释放孔位置进行刻蚀工艺，得到释放孔；
S6、进行氧气等离子体工艺，对光刻胶和牺牲层进行释放；
S7、再次沉积一层薄膜，对释放孔进行密封。
2.根据权利要求1所述的一种RF MEMS开关的原位薄膜封装方法，其特征在于：所述S2中对晶圆进行第一次匀胶采用AZ4620厚胶，所述第一次匀胶的厚度为5-8μm，所述第一次匀胶的转速为3000-4000r/min。
3.根据权利要求1所述的一种RF MEMS开关的原位薄膜封装方法，其特征在于：所述S3中在晶圆上沉积一层薄膜的厚度为200-400nm。
4.根据权利要求1所述的一种RF MEMS开关的原位薄膜封装方法，其特征在于：所述S4中对晶圆进行第二次匀胶采用AZ5214薄胶，所述第二次匀胶的厚度为1μm，所述第二次匀胶的转速为4000r/min。
5.根据权利要求1所述的一种RF MEMS开关的原位薄膜封装方法，其特征在于：所述S3和S7中薄膜的材料采用氮化硅或二氧化硅。
6.根据权利要求1所述的一种RF MEMS开关的原位薄膜封装方法，其特征在于：所述S7中进行氧气等离子体工艺采用氧等离子体表面处理机。
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