[发明专利]EUV光掩模及其制造方法

说明书

本公开涉及EUV光掩模及其制造方法。一种反射掩模包括：衬底、设置在衬底之上的反射多层、设置在反射多层之上的帽盖层、设置在帽盖层之上的中间层、设置在中间层之上的吸收体层、以及设置在吸收体层之上的覆盖层。吸收体层包括一层或多层Ir基材料、Pt基材料或Ru基材料。

技术领域

本公开涉及EUV光掩模及其制造方法。

背景技术

光刻操作是半导体制造工艺中的关键操作之一。光刻技术包括紫外光 刻、深紫外光刻和极紫外光刻(EUVL)。光掩模是光刻操作中的重要组 件。制造包括高反射率部分和高吸收率部分的具有高对比度的EUV光掩模 至关重要。

发明内容

根据本公开的一个实施例，提供了一种制造反射掩模的方法，包括： 在掩模坯之上形成光致抗蚀剂层，所述掩模坯包括：衬底、设置在所述衬 底之上的反射多层、设置在所述反射多层之上的帽盖层、设置在所述帽盖 层之上的中间层、设置在所述中间层之上的吸收体层、设置在所述吸收体 层之上的覆盖层、以及设置在所述覆盖层之上的硬掩模层；图案化所述光 致抗蚀剂层；通过使用经图案化的光致抗蚀剂层来图案化所述硬掩模层； 通过使用经图案化的硬掩模层来图案化所述覆盖层和所述吸收体层以形成 开口；以及去除所述硬掩模层，其中，所述吸收体层包括A_xB_y，其中，A 和B分别是Ir、Pt、Ru、Cr、Ta、Os、Pd、Al或Re中的一种或多种，并 且x:y为0.25:1至4:1。

根据本公开的另一实施例，提供了一种制造反射掩模的方法，包括： 在掩模坯之上形成光致抗蚀剂层，所述掩模坯包括：衬底、设置在所述衬 底之上的反射多层、设置在所述反射多层之上的阻挡层、设置在所述阻挡 层之上的帽盖层、设置在所述帽盖层之上的中间层、设置在所述中间层之 上的吸收体层、设置在所述吸收体层之上的覆盖层、以及设置在所述覆盖 层之上的硬掩模层；图案化所述光致抗蚀剂层；通过使用经图案化的光致 抗蚀剂层来图案化所述硬掩模层；通过使用经图案化的硬掩模层来图案化 所述覆盖层和所述吸收体层以形成开口；以及去除所述硬掩模层，其中， 所述阻挡层包括氮化硅、BC、BN、CN或石墨烯中的一种或多种。

根据本公开的又一实施例，提供了一种制造反射掩模的方法，包括： 在掩模坯之上形成光致抗蚀剂层，所述掩模坯包括：衬底、设置在所述衬 底之上的第一反射多层、设置在所述第一反射多层之上的第一帽盖层、设 置在所述第一帽盖层之上的第一蚀刻停止层、设置在所述第一蚀刻停止层 之上的第二反射多层、设置在所述第二反射多层之上的第二帽盖层、设置 在所述第二帽盖层之上的第二蚀刻停止层、以及在所述第二蚀刻停止层上的硬掩模层；图案化所述光致抗蚀剂层；通过使用经图案化的光致抗蚀剂 层来图案化所述硬掩模层；通过使用经图案化的硬掩模层来图案化所述第 二蚀刻停止层、所述第二帽盖层和第二吸收体层以形成沟槽；以及通过用 EUV吸收材料填充所述沟槽来形成吸收体层。

附图说明

在结合附图阅读下面的具体实施例时，可以从下面的具体实施例最佳 地理解本公开。强调的是，根据行业的标准做法，各种特征不是按比例绘 制的并且仅用于说明目的。事实上，为了讨论的清楚起见，各种特征的尺 寸可能被任意增大或减小。

图1A、图1B、图1C和图1D示出了根据本公开实施例的EUV光掩模 坯(blank)。

图2A示出了根据本公开实施例的光掩模坯的截面图，并且图2B示出 了根据本公开实施例的光掩模的截面图。

图3A示出了根据本公开实施例的光掩模坯的截面图，并且图3B示出 了根据本公开实施例的光掩模的截面图。

图4A示出了根据本公开实施例的光掩模坯的截面图，并且图4B示出 根据本公开实施例的光掩模的截面图。

图5A示出了根据本公开实施例的光掩模坯的截面图，并且图5B示出 了根据本公开实施例的光掩模的截面图。

图6A、图6B和图6C示出根据本公开实施例的光掩模的吸收体层的 截面图。