[发明专利]半导体扩散用施主源材料、施主源扩散纸及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种半导体扩散用施主源材料，其特征在于，所述施主源材料包括施主源和成膜剂，其中所述施主源包括施主物质和辅助物质，所述辅助物质为元素M1的氧化物、氮化物、氯化物、硫化物、氟化物、溴化物、碘化物和/或其他半导体氧化扩散过程中可生成元素M1的氧化物的物质，所述元素M1为Al、Ga、In、Sb、Bi中的至少一种。

2.如权利要求1所述的施主源材料，其特征在于，所述成膜剂的重量份数为10～95份，所述施主源的重量份数为0.1～90份。

3.如权利要求2所述的施主源材料，其特征在于，所述成膜剂的重量份数为15～85份，所述施主源的重量份数为10～50份。

4.如权利要求1所述的施主源材料，其特征在于，所述成膜剂为虫胶、明胶、琼脂、淀粉、纤维素及前述五种物质的衍生物、PVA、EVA、PP、PE、PVP、PU、聚乙烯醇缩醛、火棉胶、玉米朊、酚醛树脂、二乙二醇、PEG、TEOS、硅溶胶、硅凝胶、甘油中的至少一种。

5.如权利要求1所述的施主源材料，其特征在于，所述施主物质为含有元素M2的化合物，所述元素M2可以为Li、P、As、Sb、Bi中的至少一种。

6.如权利要求1所述的施主源材料，其特征在于，所述施主物质与辅助物质可以相同或不同。

7.如权利要求1所述的施主源材料，其特征在于，所述施主物质与辅助物质不同时，所述施主物质与辅助物质的重量比为1：0.02～50。

8.如权利要求1所述的施主源材料，其特征在于，所述施主源材料各组分的纯度均为4N以上。

9.如权利要求1所述的施主源材料，其特征在于，所述施主物质为氢氧化锂、氧化锂、锂盐、五氧化二磷、磷酸盐、磷酸一氢盐、磷酸二氢盐、亚磷酸盐、次磷酸盐、偏磷酸盐、焦磷酸盐、多聚磷酸盐、氢氧化砷、氧化砷、砷酸盐、偏砷酸盐、焦砷酸盐、氢氧化锑、五氧化二锑、锑盐、氢氧化铋、氧化铋、铋盐中的至少一种。

10.如权利要求9所述的施主源材料，其特征在于，所述施主物质为磷酸铝、磷酸二氢铝、亚磷酸铝、次磷酸铝、偏磷酸铝、三聚磷酸铝、磷酸镓、亚磷酸镓、次磷酸镓、磷酸铟、亚磷酸铟、磷酸锑、亚磷酸锑、磷酸铋及次磷酸铋中的至少一种。

11.如权利要求9所述的施主源材料，其特征在于，所述施主物质为含磷有机物。

12.如权利要求11所述的施主源材料，其特征在于，所述施主物质为磷酸酯类及其在化学上可接受的盐或衍生物中的至少一种。

13.如权利要求9所述的施主源材料，其特征在于，所述施主物质为含磷微晶玻璃。

14.如权利要求1所述的施主源材料，其特征在于，所述辅助物质为元素M1的氧化物，所述氧化物的比表面积1m²/g。

15.如权利要求1所述的施主源材料，其特征在于，所述辅助物质为元素M1的氧化物，所述氧化物为不稳定晶型或亚稳定晶型。

16.如权利要求1所述的施主源材料，其特征在于，所述辅助物质为元素M1的氧化物，所述氧化物的粒径满足D50500nm、D951μm。

17.如权利要求1所述的施主源材料，其特征在于，所述辅助物质为氢氧化铝、氧化铝、铝盐、含铝有机物、含铝矿物、氢氧化镓、氧化镓、镓盐、含镓有机物、氢氧化铟、氧化铟、铟盐、含铟有机物、五氧化二锑、氢氧化铋、氧化铋、铋盐、含铋有机物中的至少一种。