[发明专利]一种光电阴极及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 202110110372.X | 申请日： | 2021-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN112951683A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 黄珊珊;黄辉廉;刘雪珍;刘建庆;杨文奕 | 申请（专利权）人： | 中山德华芯片技术有限公司 |
| 主分类号： | H01J1/34 | 分类号： | H01J1/34;H01J40/06;H01J9/12;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 伍传松 |
| 地址： | 528437 广东省中山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光电 阴极 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种光电阴极，其特征在于：包括衬底层和在衬底层表面刻蚀形成的纳米柱阵列；所述纳米柱阵列包括若干个纳米柱，每个所述纳米柱表面生长有量子点和金属纳米颗粒。
2.根据权利要求1所述的一种光电阴极，其特征在于：所述衬底层为Ge、GaAs、InP、GaSb、Si、GaN和蓝宝石中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的一种光电阴极，其特征在于：所述量子点为GaAs、InGaAs、InGaAsP、InGaSb、InGaN和InAsSb中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的一种光电阴极，其特征在于：所述衬底层的制备材料带隙宽度大于量子点的带隙宽度。
5.根据权利要求1所述的一种光电阴极，其特征在于：所述金属纳米颗粒为金纳米颗粒和银纳米颗粒中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的一种光电阴极，其特征在于：所述纳米柱的高度为200～3000nm，所述纳米柱的直径为50～500nm。
7.根据权利要求1所述的一种光电阴极，其特征在于：所述量子点的直径为5～30nm。
8.根据权利要求1所述的一种光电阴极，其特征在于：所述金属纳米颗粒的直径为2～10nm。
9.一种制备如权利要求1至8任一项所述的光电阴极的方法，其特征在于：包含以下步骤：
S1、在衬底层表面刻蚀出纳米柱阵列；
S2、在所述纳米柱阵列表面制作量子点和金属纳米颗粒，得到所述光电阴极。
10.根据权利要求1至8任一项所述的光电阴极在光电探测器上的应用。
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