[发明专利]一种陶瓷基板及其加工方法和应用

说明书

本发明提供了一种陶瓷基板及其加工方法和应用，所述陶瓷基板的加工方法包括大水磨粗磨陶瓷基板坯体的第一表面和第二表面；采用CNC加工中心对所述基板坯体进行一次加工以切出外轮廓；对一次加工后的所述基板坯体进行退火处理；采用CNC加工中心对所述基板坯体进行二次加工以切出矩形槽。通过以上方式，本发明陶瓷基板的加工方法，通过将退火处理设置于两次CNC加工之间，能够及时释放产生的应力，避免多次CNC加工后应力累积，而造成产生大的应力，减少时效时间，且最后制得的产品质量一致性好，产品良率高。

技术领域

本申请属于陶瓷加工方法技术领域，具体涉及一种陶瓷基板及其加工方法和应用。

背景技术

陶瓷材料由于其良好的绝缘性能、优异的导热性、低介电损耗、高强度和高化学稳定性，在功率电子、电子封装、混合微电子与多芯片模块等方面有重要应用。

陶瓷材料在加工过程中会产生内应力，造成陶瓷材料加工周缘出现变形、裂痕等现象，且陶瓷本质的脆性限制了其大的应变特性的发挥，易产生疲劳性损伤，降低了其使用可靠性。

现有技术中，为了消除加工应力从而消除变形，对加工完成后变形的陶瓷产品退火处理即时效处理，但是退火对形变量的改善作用有限，变形较为严重的陶瓷产品经过一次时效处理仍不能消除应变，需要多次时效处理，甚至是多次时效处理之后也达不到需要的尺寸精度。

鉴于此，提供一种新的陶瓷基板及其加工方法和应用以解决现有技术存在的缺陷。

发明内容

本申请的目的在于针对现有技术的上述缺陷，提供一种陶瓷基板及其加工方法和应用。

本申请的目的可通过以下的技术措施来实现：

为了实现上述目的，本申请提供了一种陶瓷基板加工方法，所述加工方法包括：

大水磨粗磨陶瓷基板坯体的第一表面和第二表面；

采用CNC加工中心对所述基板坯体进行一次加工以切出外轮廓；

对一次加工后的所述基板坯体进行退火处理；

采用CNC加工中心对所述基板坯体进行二次加工以切出矩形槽。

优选的，所述退火处理过程中，从室温升温到1050℃，升温过程为4.5-5.5h，且在1050℃保温0.5-1.5h。

优选的，所述采用CNC加工中心对所述基板坯体进行二次加工以切出矩形槽，包括：对所述基板坯体先加工出所述矩形槽的内切圆，再沿内切圆的外围进行修整形成所述矩形槽。

优选的，所述大水磨粗磨基板坯体的两个表面包括粗磨所述基板坯体的第一表面和第二表面磨至比预设陶瓷基板的厚度厚0.1mm；

将粗磨好的基本坯体在灯光下照射至全反光。

优选的，所述矩形槽的深度为0.1mm。

本发明还提供一种陶瓷基板，所述陶瓷基板采用以上任一所述方法制备而成。

本发明还提供一种壳体，所述壳体采用以上所述陶瓷基板制备而成。

本发明还提供一种电子终端，所述电子终端包括以上所述壳体。

本申请的有益效果为提供了一种陶瓷基板及其加工方法和应用，所述陶瓷基板的加工方法包括大水磨粗磨陶瓷基板坯体的第一表面和第二表面；采用CNC加工中心对所述基板坯体进行一次加工以切出外轮廓；对一次加工后的所述基板坯体进行退火处理；采用CNC加工中心对所述基板坯体进行二次加工以切出矩形槽。通过以上方式，本发明陶瓷基板的加工方法，通过将退火处理设置于两次CNC加工之间，能够及时释放产生的应力，避免多次CNC加工后应力累积，而造成产生大的应力，减少时效时间，且最后制得的产品质量一致性好，产品良率高。

附图说明