[发明专利]一种半导体扩散用受主源材料、受主源扩散纸及其应用在审
申请号: | 202110111182.X | 申请日: | 2021-01-27 |
公开(公告)号: | CN114068316A | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
发明(设计)人: | 石坚 | 申请(专利权)人: | 济宁九德半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/225 | 分类号: | H01L21/225 |
代理公司: | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人: | 于晓晓 |
地址: | 273200 山东省济宁市泗水*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 扩散 用受主源 材料 受主源 及其 应用 | ||
1.一种半导体扩散用受主源材料,其特征在于,所述受主源材料包括受主源和成膜剂,所述受主源为无定型硼、铝单质、硼铝合金、氮化硼、碳化硼、硼酸铝晶须、硼酸镓、硼酸铟、硼酸铵及各种含有硼酸、氧化硼的硅凝胶中的至少一种。
2.如权利要求1所述的半导体扩散用受主源材料,其特征在于,所述受主源的总铍、钠、镁、钾、钙、钪、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、铷、铯、锆、钼、银、镉、钡、钇、铂、金、汞、铅的金属含量≤10ppm。
3.如权利要求1所述的半导体扩散用受主源材料,其特征在于,受主源的总铍、钠、镁、钾、钙、钪、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、铷、铯、锆、钼、银、镉、钡、钇、铂、金、汞、铅的金属含量≤1ppm。
4.如权利要求1所述的半导体扩散用受主源材料,其特征在于,受主源的总铍、钠、镁、钾、钙、钪、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、铷、铯、锆、钼、银、镉、钡、钇、铂、金、汞、铅的金属含量≤0.1ppm。
5.如权利要求1-4任一所述的一种半导体扩散用受主源材料,其特征在于,所述受主源的粒径为5-50000nm。
6.如权利要求1所述的一种半导体扩散用受主源材料,其特征在于,所述成膜剂的重量份数为10~95份,所述受主源的重量份数为0.1~90份。
7.如权利要求1所述的一种半导体扩散用受主源材料,其特征在于,所述成膜剂的重量份数为15~85份,所述受主源的重量份数为5~65份。
8.如权利要求1或6或7任一所述的一种半导体扩散用受主源材料,其特征在于,所述成膜剂可以为虫胶、明胶、琼脂、淀粉、纤维素及前述五种物质的衍生物、PVA、EVA、PP、PE、PVP、PU、聚乙烯醇缩醛、火棉胶、玉米朊、羧甲基纤维素、酚醛树脂、二乙二醇、PEG、TEOS、甘油、硅溶胶中的至少一种;所述成膜剂中总铍、钠、镁、钾、钙、钪、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、铷、铯、锆、钼、银、镉、钡、钇、铂、金、汞、铅的金属含量≤10ppm。
9.如权利要求1所述的一种半导体扩散用受主源材料,其特征在于,所述受主源材料还包括分散剂,所述分散剂为硅粉、碳化硅、α-氧化铝中的至少一种,所述分散剂中总铍、钠、镁、钾、钙、钪、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、铷、铯、锆、钼、银、镉、钡、钇、铂、金、汞、铅的金属含量≤10ppm。
10.如权利要求9所述的一种半导体扩散用受主源材料,其特征在于,所述分散剂的粒度为1~80μm。
11.如权利要求9所述的一种半导体扩散用受主源材料,其特征在于,所述分散剂的重量份数为0~85份。
12.如权利要求9所述的一种半导体扩散用受主源材料,其特征在于,所述分散剂的重量份数为5~60份。
13.如权利要求1所述的一种半导体扩散用受主源材料,其特征在于,所述受主源材料还包括色素,所述色素为天然色素、合成色素中的至少一种;所述色素中总铍、钠、镁、钾、钙、钪、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、铷、铯、锆、钼、银、镉、钡、钇、铂、金、汞、铅的金属含量≤10ppm。
14.如权利要求13所述的一种半导体扩散用受主源材料,其特征在于,所述色素的重量份数为0~1份。
15.如权利要求13所述的一种半导体扩散用受主源材料,其特征在于,所述色素的重量份数为0~0.1份。
16.如权利要求1所述的一种半导体扩散用受主源材料,其特征在于,所述受主源材料还包括溶剂,所述溶剂为乙醇、异丙醇、丙酮、乙酸乙酯、水中的至少一种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于济宁九德半导体科技有限公司,未经济宁九德半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110111182.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造