[发明专利]一种电子设备及其控制方法

权利要求书

1.一种电子设备，其特征在于，包括CPU、降压-升压转换器BOB、电感、开关元件，所述CPU分别与所述BOB和所述开关元件连接，

所述BOB具有至少两对引脚，所述至少两对引脚中的第一对引脚分别连接所述电感的两端，所述至少两对引脚中的第二对引脚分别连接所述开关元件的两端；

在所述BOB的输入电压小于或等于电压阈值，或者所述BOB的输入电压等于所述BOB的实际输出电压的情况下，导通所述开关元件；

其中，所述电压阈值等于所述BOB的实际输出电压/η，其中，η为BOB的转换效率。

2.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述开关元件包括金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET，所述MOSFET具有栅极、源极和漏极，所述栅极与所述CPU相连接，所述第二对引脚包括第一电压引脚和第二电压引脚，所述第一电压引脚和所述第二电压引脚分别连接所述MOSFET的源极和漏极。

3.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述开关元件包括一对反向连接的MOSFET，所述第二对引脚包括第一电压引脚和第二电压引脚，所述第一电压引脚、所述一对反向连接的MOSFET和所述第二电压引脚依次串联连接。

4.根据权利要求3所述的电子设备，其特征在于，所述一对反向连接的MOSFET包括第一MOSFET和第二MOSFET，所述第一MOSFET和第所述二MOSFET均为N沟道MOSFET，第一MOSFET的漏极与第二MOSFET的漏极连接，第一MOSFET的源极连接所述第一电压引脚，第二MOSFET的源极连接所述第二电压引脚，第一MOSFET的栅极和第二MOSFET的栅极均连接所述CPU。

5.根据权利要求3所述的电子设备，其特征在于，所述一对反向连接的MOSFET包括第一MOSFET和第二MOSFET，所述第一MOSFET和第所述二MOSFET均为P沟道MOSFET，第一MOSFET的源极与第二MOSFET的源极连接，第一MOSFET的漏极连接所述第一电感引脚，第二MOSFET的漏极连接所述第二电感引脚，第一MOSFET的栅极和第二MOSFET的栅极均连接所述CPU。

6.一种控制权利要求1-5任一项所述的电子设备的方法，其特征在于，所述方法包括：

获取BOB的输入电压；

确定所述输入电压是否满足预设条件，所述预设条件包括：所述BOB的输入电压小于或等于电压阈值，或者所述BOB的输入电压等于所述BOB的实际输出电压；其中，所述电压阈值等于所述BOB的实际输出电压/η，其中，η为BOB的转换效率；

在所述输入电压满足所述预设条件时，导通所述开关元件。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述输入电压满足所述预设条件时，导通所述开关元件包括：

在所述BOB的输入电压小于或等于所述电压阈值的情况下，使所述BOB停止工作，并导通所述开关元件；

或者，在所述BOB的输入电压小于或等于电压阈值，或者所述BOB的输入电压等于所述BOB的实际输出电压的情况下，将所述BOB切换到旁路模式，并导通所述开关元件。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述输入电压不满足所述预设条件时，关闭所述开关元件。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述获取BOB的输入电压包括：由所述BOB获取BOB的输入电压；

所述确定所述输入电压是否满足预设条件包括：由所述BOB确定所述输入电压是否等于所述BOB的实际输出电压。

10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述获取BOB的输入电压包括：由所述CPU获取BOB的输入电压；

所述确定所述输入电压是否满足预设条件包括：由所述CPU确定所述输入电压是否小于或等于电压阈值。