[发明专利]基于直立式二维薄膜材料的光电探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于直立式二维薄膜材料的光电探测器，其特征在于，包括：

第一电极层；

纳米片阵列，设置于所述第一电极层上，所述纳米片阵列由直立式二维半导体材料形成，所述纳米片阵列具有间隙，所述间隙暴露所述第一电极层的部分；

绝缘胶层，位于所述纳米片阵列的间隙中，且设置于所述间隙暴露的所述第一电极层上；

第二电极层，设置于所述纳米片阵列和所述绝缘胶层上。

2.根据权利要求1所述的直立式二维薄膜材料的光电探测器，其特征在于，所述光电探测器还包括钝化层，所述钝化层设置于所述纳米片阵列和所述绝缘胶层上，且所述钝化层位于所述第二电极层下方。

3.根据权利要求1所述的直立式二维薄膜材料的光电探测器，其特征在于，所述钝化层的材料为三氧化二铝，所述钝化层的厚度范围为5nm至10nm。

4.根据权利要求2所述的直立式二维薄膜材料的光电探测器，其特征在于，所述纳米片阵列的材料为二硒化锡纳米片。

5.一种基于直立式二维薄膜材料的光电探测器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

在基底上制作形成第一电极层；

在所述第一电极层上制作形成纳米片阵列，所述纳米片阵列由直立式二维半导体材料形成，所述纳米片阵列具有间隙，所述间隙暴露所述第一电极层的部分；

在所述纳米片阵列上进行涂胶，以在所述纳米片阵列的间隙中形成绝缘胶层，且所述绝缘胶层设置于所述间隙暴露的第一电极层上；

在所述纳米片阵列和所述绝缘胶层上制作形成第二电极层。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，采用分子束外延工艺在在所述第一电极层上制作形成纳米片阵列。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在所述第一电极层上制作形成纳米片阵列后，所述制备方法还包括：

对所述纳米片阵列进行热退火处理。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，制作形成第二电极层之前，所述制备方法还包括：

在所述纳米片阵列和所述绝缘胶层上制作形成钝化层，且所述钝化层位于所述第二电极层下方。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，采用电子束蒸镀工艺制作形成第二电极层。

10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述纳米片阵列的材料为二硒化锡纳米片。