[发明专利]基于溶剂热法的中空稀土基MOFs材料

权利要求书

1.一种基于溶剂热法的中空稀土基MOFs材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤:

1〕将镧系金属盐、1,3,5-苯三甲酸H₃BTC和噻吩-2,5-二羧酸H₂TDC分别置于在反应器中，加入溶剂进行溶解；

2〕将步骤1〕制得的三种溶液混合后，在密闭体系内加热反应；

3〕将反应后的产物进行固液分离，并洗涤所获得的固体产物，得到中空稀土基MOFs材料。

2.根据权利要求1所述的一种基于溶剂热法的中空稀土基MOFs材料的制备方法，其特征在于：步骤1〕中，所述镧系金属为三价稀土金属，酸根为可使稀土离子溶解的酸根。

3.根据权利要求2所述的一种基于溶剂热法的中空稀土基MOFs材料的制备方法，其特征在于：步骤1〕中，所述镧系金属为铽、铕、镨、钐或铈，酸根为硝酸根、醋酸根、硫酸根或盐酸根。

4.根据权利要求1所述的一种基于溶剂热法的中空稀土基MOFs材料的制备方法，其特征在于：步骤1〕中，所述金属盐选自可溶性稀土盐及其混合物。

5.根据权利要求1或2所述的一种基于溶剂热法的中空稀土基MOFs材料的制备方法，其特征在于：步骤1〕中，所述溶剂为AR级别的N,N-二甲基甲酰胺DMF。

6.根据权利要求5所述的一种基于溶剂热法的中空稀土基MOFs材料的制备方法，其特征在于：步骤2〕中，在高压反应釜中加热反应。

7.根据权利要求5所述的一种基于溶剂热法的中空稀土基MOFs材料的制备方法，其特征在于：步骤3〕中，采用离心管进行分离，并用DMF进行离心洗涤；洗涤后，干燥所获得的产物。

8.根据权利要求5所述的一种基于溶剂热法的中空稀土基MOFs材料的制备方法，其特征在于：H₃BTC和DMF参与镧系金属阳离子配位；H₂TDC作为反应助剂，没有与镧系金属阳离子配位；最终形成了以镧系金属阳离子为中心的中空球结构。

9.根据权利要求8所述的一种基于溶剂热法的中空稀土基MOFs材料的制备方法，其特征在于：步骤2〕中，采用两种镧系金属形成的金属盐，最终获得中空双金属MOFs材料。

10.根据权利要求9所述的一种基于溶剂热法的中空稀土基MOFs材料的制备方法，其特征在于：所述的两种金属具有不同的特征发射峰，通过调整两种金属比例，调节MOFs的发射波长。