[发明专利]镁合金表面微弧氧化低氟自封孔涂层电解液及涂层制备方法

权利要求书

1.一种镁合金表面微弧氧化低氟自封孔涂层的电解液，其特征在于，电解液的组成为：硅酸盐8~28 g/L，铈盐5~10 g/L，氟盐0.5~2 g/L，锆盐3~8 g/L，氢氧化钠2 g/L，醋酸盐1~7g/L，通过柠檬酸控制pH在10-13；所述硅酸盐为硅酸钠，铈盐为硝酸铈或硫酸铈，氟盐为氟化钠或氟化钾，所述锆盐为硝酸氧锆，醋酸盐为醋酸铅、醋酸铝、醋酸锌中的一种或任意两种的混合或三种。

2.一种镁合金表面微弧氧化低氟自封孔涂层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，样品前处理 将镁合金工件先用砂纸打磨至1000#、脱脂、清洗、干燥后安置到电解槽中；

步骤二，电解液的配置 按照权利要求1所述的电解液进行配置，并对电解液进行超声处理，超声30 min；

步骤三，微弧氧化 将步骤二配置的电解液置于电解槽中，将前处理后的工件浸入电解液中，然后进行微弧氧化。

3.根据权利要求2所述的镁合金表面微弧氧化低氟自封孔涂层的制备方法，其特征在于，电解液的温度要控制在20℃+3。

4.根据权利要求3所述的镁合金表面微弧氧化低氟自封孔涂层的制备方法，其特征在于，电解液的pH通过用柠檬酸来调控。

5.根据权利要求2所述的镁合金表面微弧氧化低氟自封孔涂层的制备方法，其特征在于，步骤三中，电参数为正向电压250V-300V、负向电压30-50V、频率300HZ-600HZ、占空比38-51%。

6.根据权利要求2或5所述的镁合金表面微弧氧化低氟自封孔涂层的制备方法，其特征在于，步骤三中微弧氧化处理时间为5min-15min。

7.根据权利要求2~5任一项所述的镁合金表面微弧氧化低氟自封孔涂层的制备方法，其特征在于，微弧氧化厚度为3 ~48 μm的涂层。

8.如权利要求2~5任一项所述的镁合金表面微弧氧化低氟自封孔涂层的制备方法，其特征在于，镁合金材料为AZ31、AZ61、AZ91、WE43或ZK61。