[发明专利]柱状电容结构、半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种柱状电容结构，其特征在于，包括：

多个阵列排布的柱状电极，其中，在每个所述柱状电极的外壁上设置有支撑件，所述柱状电极的顶部与位于顶层的所述支撑件中的顶部平齐；多个所述支撑件呈网状或者格子结构；

介电层，覆盖于所述柱状电极和支撑件的外表面；

上电极层，覆盖于所述介电层上。

2.根据权利要求1所述的柱状电容结构，其特征在于，位于顶层的所述支撑件部分的纵截面为侧墙形状。

3.根据权利要求1所述的柱状电容结构，其特征在于，所述支撑件的横向截面形状为圆形、椭圆形、弧形、四边形或者六边形形。

4.一种柱状电容结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一基板，在基板上形成阻挡层、在所述阻挡层上形成堆叠结构，所述堆叠结构由模制层和支撑层交替沉积而成；

刻蚀所述阻挡层、堆叠结构，形成多个电容孔；

在每个所述电容孔内形成柱状电极；

对位于所述堆叠结构中顶层的支撑层进行各向异性刻蚀，形成围绕所述柱状电极外壁的侧墙；

以所述侧墙作为掩模继续刻蚀剩余的所述堆叠结构，在所述柱状电极的外壁上形成支撑件；

在所述柱状电极的外壁和所述支撑件上形成介电层；

在所述介电层上形成上电极层。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，形成所述支撑件时，

以所述侧墙为掩膜刻蚀所述堆叠结构中其余的所述支撑层和模制层，并采用湿法腐蚀剩余的所述模制层，被保留的所述支撑层部分以及所述侧墙形成所述支撑件。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述支撑件的材料包括氮化硅或者氮氧化硅。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述堆叠结构顶层的支撑层的材料为Si₃N₄。

8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述堆叠结构顶层的支撑层的厚度为1nm到500nm。

9.一种DRAM，其特征在于，包括如权利要求1-3任一项所述的柱状电容结构。