[发明专利]超低静态功耗的缓冲器有效
| 申请号： | 202110114776.6 | 申请日： | 2021-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN112468101B | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 邹鹏良;唐成伟;吴忠洁 | 申请（专利权）人： | 上海灵动微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/16 | 分类号： | H03F3/16;H03F3/68 |
| 代理公司： | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人： | 吴珊;成春荣 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国（上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 静态 功耗 缓冲器 | ||
1.一种超低静态功耗的缓冲器，其特征在于，包括：第一至第八NMOS晶体管和第一至第十二PMOS晶体管，其中：
所述第一NMOS晶体管、所述第七NMOS晶体管和所述第八NMOS晶体管的栅极均连接信号输入端；
所述第一NMOS晶体管和所述第二NMOS晶体管的源极均连接所述第四NMOS晶体管的漏极，所述第一NMOS晶体管的漏极连接所述第一PMOS晶体管的漏极和所述第一至第四PMOS晶体管的栅极，所述第二NMOS晶体管的漏极连接所述第二PMOS晶体管的漏极，所述第二NMOS晶体管的栅极连接所述第九PMOS晶体管的漏极和所述第十PMOS晶体管的源极；
所述第七NMOS晶体管的源极和所述第十NMOS晶体管的漏极连接所述第五NMOS晶体管的漏极，所述第七NMOS晶体管的漏极连接所述第三PMOS晶体管的漏极和所述第九PMOS晶体管的栅极；
所述第八NMOS晶体管的源极和所述第十二PMOS晶体管的漏极连接所述第六NMOS晶体管的漏极，所述第八NMOS晶体管的漏极连接所述第四PMOS晶体管的漏极和所述第十一PMOS晶体管的栅极，所述第十一PMOS晶体管的漏极和所述第十二PMOS晶体管的源极连接信号输出端；
所述第三NMOS晶体管的漏极和所述第三至第六NMOS晶体管的栅极相连，所述第三至第六NMOS晶体管的源极均连接地端；
所述第一至第四PMOS晶体管和所述第十一PMOS晶体管的源极均连接电源端；
还包括：电流源、第十三PMOS晶体管和第九NMOS晶体管，所述第十三PMOS晶体管和所述第九NMOS晶体管并联于所述电流源和所述第三NMOS晶体管的栅极之间，所述第十三PMOS晶体管的栅极和所述第九NMOS晶体管的栅极分别连接一对反相的控制信号，所述电流源连接于所述电源端和所述第九NMOS晶体管之间。
2.根据权利要求1所述的超低静态功耗的缓冲器，其特征在于，所述第三PMOS晶体管和所述第四PMOS晶体管，所述第十PMOS晶体管和所述第十二PMOS晶体管，所述第七NMOS晶体管和所述第八NMOS晶体管，以及所述第五NMOS晶体管和所述第六NMOS晶体管之间完全一致。
3.根据权利要求2所述的超低静态功耗的缓冲器，其特征在于，所述第十一PMOS晶体管的宽长比大于所述第九PMOS晶体管的宽长比。
4.根据权利要求1所述的超低静态功耗的缓冲器，其特征在于，还包括：电阻和电容，所述电阻和所述电容分别连接于所述信号输出端与所述地端之间。
5.根据权利要求1所述的超低静态功耗的缓冲器，其特征在于，还包括：第一补偿电容，所述第一补偿电容连接于所述第二NMOS晶体管的漏极与所述地端之间；当所述缓冲器电路的相位裕度低于第一预定阈值时，调大所述第一补偿电容。
6.根据权利要求1所述的超低静态功耗的缓冲器，其特征在于，还包括：第二补偿电容，所述第二补偿电容连接于所述电源端与所述第九PMOS晶体管的栅极之间；当所述缓冲器电路的相位裕度低于第二预定阈值时，调大所述第二补偿电容。
7.根据权利要求1所述的超低静态功耗的缓冲器，其特征在于，还包括：第三补偿电容和补偿电阻，所述第三补偿电容和所述补偿电阻串联于所述电源端和所述第十一PMOS晶体管的栅极之间；当所述缓冲器电路的相位裕度低于第三预定阈值时，调大所述第三补偿电容。
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