[发明专利]用于改善放大器线性度的偏置布置

权利要求书

1.用于放大器的偏置布置，该偏置布置包括：

偏置电路，包括偏置电路晶体管，该偏置电路被配置为产生用于所述放大器的偏置信号；

线性化电路，包括线性化晶体管，所述线性化电路被配置为通过修改所述偏置信号以产生要提供给所述放大器的修改后的偏置信号来改善所述放大器的线性度；和

在所述偏置电路和所述线性化电路之间实施的耦合电路，该耦合电路包括耦合晶体管。

2.根据权利要求1所述的偏置布置，其中所述耦合晶体管的输出耦合到所述偏置电路晶体管的输入。

3.根据权利要求2所述的偏置布置，其中所述耦合晶体管的输出为：

如果所述耦合晶体管是场效应晶体管，则为该耦合晶体管的栅极端子，或者

如果所述耦合晶体管是双极晶体管，则为该耦合晶体管的基极端子。

4.根据权利要求2所述的偏置布置，其中所述偏置电路晶体管的输入为：

如果所述偏置电路晶体管是场效应晶体管，则为所述偏置电路晶体管的漏极端子，或者

如果所述偏置电路晶体管是双极晶体管，则为所述偏置电路晶体管的集电极端子。

5.根据权利要求2所述的偏置布置，其中:

所述偏置电路晶体管是第一偏置电路晶体管，

所述偏置布置还包括第二偏置电路晶体管，所述第二偏置电路晶体管与所述第一偏置电路晶体管以级联布置排列，和

通过将所述耦合晶体管的输出耦合到所述第二偏置电路晶体管的输入和将所述第二偏置电路晶体管的输出耦合到所述第一偏置电路晶体管的输入，将所述耦合晶体管的输出耦合到所述第一偏置电路晶体管的输入。

6.根据权利要求5所述的偏置布置，其中所述第二偏置电路晶体管的输入为：

如果所述第二偏置电路晶体管是场效应晶体管，则为所述第二偏置电路晶体管的漏极端子，或者

如果所述第二偏置电路晶体管是双极晶体管，则为所述第二偏置电路晶体管的集电极端子。

7.根据权利要求5所述的偏置布置，其中所述第二偏置电路晶体管的输出为：

如果所述第二偏置电路晶体管是场效应晶体管，则为所述第二偏置电路晶体管的源极端子，或者

如果所述第二偏置电路晶体管是双极晶体管，则为所述第二偏置电路晶体管的发射极端子。

8.根据权利要求2所述的偏置布置，其中所述耦合晶体管的输出还耦合到所述线性化晶体管的输入。

9.根据权利要求2所述的偏置布置，其中所述偏置布置还包括电容器，所述电容器包括第一电容器电极和第二电容器电极，所述耦合晶体管的输出还耦合到所述第一电容器电极，并且所述第二电容器电极耦合到地电势。

10.根据权利要求1所述的偏置布置，其中:

所述偏置电路晶体管、所述线性化晶体管和所述耦合晶体管中的每一个包括第一端子、第二端子和第三端子，

所述偏置电路晶体管的第一端子耦合到所述耦合晶体管的第三端子，

所述耦合晶体管的第一端子耦合到所述线性化晶体管的第一端子。

11.根据权利要求10所述的偏置布置，其中所述耦合晶体管的第一端子还耦合至所述偏置电路晶体管的第二端子。

12.根据权利要求10所述的偏置布置，其中所述耦合晶体管的第二端子耦合到：

如果所述耦合晶体管是N型晶体管，则为电源电压；或者

如果所述耦合晶体管为P型晶体管，则为地电势。