[发明专利]阵列基板、其制造方法和显示装置有效
申请号: | 202110115229.X | 申请日: | 2021-01-28 |
公开(公告)号: | CN112909022B | 公开(公告)日: | 2022-09-09 |
发明(设计)人: | 胡小波 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32;G02F1/1362;G02B1/11;G02B1/10 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 唐秀萍 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 制造 方法 显示装置 | ||
本申请提供一种阵列基板、其制造方法以及显示装置。本申请提供一种阵列基板,其包括:基板,基板包括相对设置的第一面和第二面;薄膜晶体管层,设置于第一面上,薄膜晶体管层包括栅极、源极以及漏极,栅极设置于第一面上,源极和漏极位于栅极远离基板的一侧;以及第一减反射层,设置于基板与薄膜晶体管层之间,且与栅极、源极和漏极中的至少一个对应设置;其中,第一减反射层包括剥离防止层和减反射功能层,剥离防止层设置于第一面上,减反射功能层设置于剥离防止层远离基板的一侧。本申请的阵列基板能够防止减反射功能层和基板之间发生分离,从而提高显示效果。
技术领域
本申请涉及显示领域,尤其涉及一种阵列基板、其制造方法和显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展,显示装置逐步趋向窄边框化,乃至于无边框化。已知的一种无边框显示装置以阵列基板的基板侧作为观看侧,将柔性电路板绑定在阵列基板的与观看侧相对的一侧的非显示区,柔性电路板电连接印刷电路板。在这种结构中,柔性电路板弯折至阵列基板与观看侧相背的一侧,其弯折程度小,在提高显示模组可靠性的同时,还能实现显示装置的无边框化。
但是,在以阵列基板的基板侧作为观看侧时,由于位于阵列基板上的薄膜晶体管中的金属层上方没有遮光层遮挡,导致显示装置对环境光的反射率显著增大。为了解决显示装置反光问题,通常在薄膜晶体管与基板之间设置减反射层以减少环境光的反射。然而,减反射层和基板之间容易发生分离,使显示装置反射率提高,会增大薄膜晶体管的膜层剥离(peeling)风险,进而导致显示效果变差。
发明内容
有鉴于此,本申请目的在于提供一种能够防止减反射层和基板之间发生分离的阵列基板及其制造方法和显示装置。
本申请提供一种阵列基板,其包括:
基板,所述基板包括相对设置的第一面和第二面;
薄膜晶体管层,设置于所述第一面上,所述薄膜晶体管层包括栅极、源极以及漏极,所述栅极设置于所述第一面上,所述源极和所述漏极位于所述栅极远离所述基板的一侧;以及
第一减反射层,设置于所述基板与所述薄膜晶体管层之间,且与所述栅极、所述源极以及所述漏极中的至少一个对应设置;
其中,所述第一减反射层包括剥离防止层和减反射功能层,所述剥离防止层设置于所述第一面上,所述减反射功能层设置于所述剥离防止层远离所述基板的一侧。
在一种实施方式中,所述减反射功能层的材料包括氧化钼,所述剥离防止层的材料包括氧化铝。
在一种实施方式中,所述氧化钼包括MoOx-a和/或MoOx,其中,x为2或3,a为0或1。
在一种实施方式中,所述薄膜晶体管层还包括有源层,所述有源层位于所述栅极远离所述基板的一侧,所述源极和所述漏极位于所述有源层远离所述栅极的一侧,所述第一减反射层包括第一部分,所述第一部分对应于所述栅极设置,所述第一部分设置于所述栅极靠近所述基板的一侧。
在一种实施方式中,所述第一减反射层还包括位于所述第一部分两侧的第二部分和第三部分,所述第二部分对应于所述源极设置,所述第三部分对应于所述漏极设置。
在一种实施方式中,所述薄膜晶体管层还包括有源层,所述有源层位于所述栅极靠近所述基板的一侧,所述第一减反射层包括第一部分以及位于所述第一部分两侧的第二部分和第三部分,所述第一部分对应于所述栅极设置,所述第二部分对应于所述源极设置,所述第三部分对应于所述漏极设置。
在一种实施方式中,所述薄膜晶体管层还包括有源层,所述有源层位于所述栅极靠近所述基板的一侧;所述第一减反射层包括第四部分和第五部分,所述第四部分对应于所述源极设置,所述第五部分对应于所述漏极设置,所述阵列基板还包括第二减反射层,所述第二减反射层对应于所述栅极设置,并设置在所述栅极朝向所述基板的一侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的