[发明专利]掩膜版的清洁装置

说明书

本申请公开了一种掩膜版的清洁装置，包括：观察摄像机，对掩膜版表面拍照，以获取掩膜版上异物的位置信息；氮气喷嘴，位于掩膜版表面的下方，根据异物的位置信息对掩膜版表面的异物进行吹扫；以及抽气装置，位于掩膜版表面的下方，从吹扫的异物处抽取氮气喷嘴喷出的氮气以去除掩膜版表面的异物并排出；控制单元，用于当观察摄像机拍摄到掩膜版上存在异物时，控制氮气喷嘴向掩膜版表面喷出氮气以及控制抽气装置从掩膜版表面抽取氮气。本申请采用定位清洁的方式，其吹扫范围更精确，在保持氮气喷嘴风压不变的前提下，减小了掩膜版受吹扫影响的面积，并且采用抽气装置提升去除掩膜版表面的异物的成功率，进而提升了掩膜版的可靠性。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，更具体地，涉及一种掩膜版的清洁装置。

背景技术

随着半导体器件越来越广泛地应用于现实生活中，对半导体制造工艺的追求越来越高。光刻工艺作为半导体制造过程中的重要流程，通过将掩膜版上的图形转移至半导体结构层上，进而制造得到更精细的半导体器件。

掩膜版是半导体制造领域中比较重要的辅助工具，每张掩膜版在制作、运输、使用及存储的过程中暴露在外界环境中，不可避免地会在掩膜版的透光薄膜(pellicle)表面掉落异物(particle)，当其异物的直径达到阈值时会影响曝光，进而在光刻过程中，异物会在半导体结构表面成像，进而影响半导体器件的制造流程。

因此，期望提供一种掩膜版的清洁装置，可以在不影响掩膜版后续使用的基础上清楚掩膜版表面的异物。

发明内容

鉴于上述问题，本发明的目的是提供一种改进的掩膜版的清洁装置。掩膜版的清洁装置包括观察摄像机，对掩膜版表面拍照，以获取所述掩膜版上异物的位置信息；氮气喷嘴，位于所述掩膜版表面的下方，根据所述异物的位置信息对所述掩膜版表面的异物进行吹扫；以及抽气装置，位于所述掩膜版表面的下方，从吹扫的异物处抽取氮气喷嘴喷出的氮气以去除所述掩膜版表面的异物并排出；控制单元，用于当所述观察摄像机拍摄到掩膜版上存在异物时，控制所述氮气喷嘴向所述掩膜版表面喷出氮气以及控制所述抽气装置从所述掩膜版表面抽取氮气。

可选地，所述观察摄像机的拍照方向与所述氮气喷嘴的喷气方向一致。

可选地，所述氮气喷嘴和所述观察摄像机固定在一起。

可选地，所述抽气装置包括抽气泵，所述抽气泵的抽气方向与所述氮气喷嘴的喷气方向呈镜像设置。

可选地，还包括：移动控制装置，安置所述掩膜版，用于控制所述掩膜版沿前后方向移动或者沿左右方向移动，以使所述观察摄像机扫描整个掩膜版表面。

可选地，所述氮气喷嘴的喷口直径为170μm～1000μm。

可选地，所述氮气喷嘴的喷气方向与所述掩膜版表面的夹角为20°～80°。

可选地，所述观察摄像机还获取所述掩膜版上异物的二维坐标和形态。

可选地，还包括氮气管道，连接所述氮气喷嘴以提供氮气；

腔体，提供清洁所述掩膜版上异物的封闭空间，所述抽气装置和所述氮气喷嘴在所述腔体中的距离固定。

可选地，所述掩膜版包括：基板，第一表面包括图案层；透光薄膜，位于所述基板第一表面一侧，异物位于所述透光薄膜远离所述基板第一表面的表面上；以及支架，将所述基板与所述透光薄膜连接形成第一空间，所述第一空间封闭以保护所述图案层。

本申请提供的掩膜版的清洁装置，通过设置观察摄像机对掩膜版表面的异物检测并定位，进而对定位的异物采用氮气喷嘴对该异物吹扫，再结合抽气装置从吹扫的异物处抽取氮气喷嘴喷出的氮气并排出以提升去除所述掩膜版表面的异物的成功率。上述定位清洁的技术方案，其吹扫范围更精确，在保持氮气喷嘴风压不变的前提下，减小了掩膜版受吹扫影响的面积。并且采用观察摄像机在对异物精准定位定形的基础上，可以即时清洁到掩膜版上的异物。