[发明专利]用于制造具有到导电楼梯梯级的接触件的微电子装置的方法以及相关装置和系统

权利要求书

1.一种用于形成微电子装置的方法，所述方法包括：

在堆叠结构中形成楼梯结构，所述堆叠结构包括布置在层中的绝缘材料和导电材料的竖直交替序列，所述楼梯结构包括在所述堆叠结构的所述层的横向端处的梯级；

邻近所述楼梯结构形成填充材料；

在所述填充材料中形成具有不同的纵横比的接触开口，所述接触开口中的一些接触开口终止于所述填充材料中，所述接触开口中的其它接触开口暴露所述堆叠结构的上部层的所述导电材料的部分；

在所述接触开口中的所述其它接触开口中在所述导电材料的所述部分上选择性地形成额外的导电材料；

延伸所述接触开口中的所述一些接触开口以形成暴露所述堆叠结构的下部层的所述导电材料的部分的经延伸的接触开口；以及

在所述接触开口中的所述其它接触开口中并且在所述经延伸的接触开口中形成接触件，所述接触件中的一些接触件延伸到所述额外的导电材料，所述接触件中的其它接触件延伸到所述堆叠结构的所述下部层的所述导电材料的所述部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其中当延伸所述接触开口中的所述一些接触开口以形成所述经延伸的接触开口时，所述额外的导电材料保持暴露在所述接触开口中的所述其它接触开口中。

3.根据权利要求1所述的方法，其中终止于所述填充材料中的所述接触开口中的所述一些接触开口具有彼此基本上相同的深度。

4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在延伸所述接触开口中的所述一些接触开口以形成所述经延伸的接触开口之前，在所述额外的导电材料上选择性地形成更多导电材料。

5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其中在所述填充材料中形成具有所述不同的纵横比的所述接触开口包括通过一个材料移除动作至少部分地形成用于待与所述楼梯结构的梯级的电连接地形成的所有的所述接触件的接触开口。

6.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其中在所述填充材料中形成具有不同的纵横比的接触开口包括形成接触开口到直到所述楼梯结构的高度的约50％的深度。

7.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其进一步包括在延伸所述接触开口中的所述一些接触开口之后，在所述堆叠结构的所述下部层的所述导电材料的所述部分上选择性地形成更多导电材料。

8.根据权利要求7所述的方法，其中形成所述更多导电材料进一步包括也在所述额外的导电材料上形成所述更多导电材料。

9.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其中在所述接触开口中的所述其它接触开口中并且在所述经延伸的接触开口中形成接触件包括在所述接触开口中并且在所述经延伸的接触开口中形成衬里材料。

10.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其中在所述接触开口中的所述其它接触开口中并且在所述经延伸的接触开口中形成接触件包括：

在所述堆叠结构的下部层处的所述导电材料上形成氮化物材料；以及

在所述接触开口中的所述其它接触开口中的所述额外的导电材料上形成所述氮化物材料。

11.一种微电子装置，其包括：

堆叠结构，其包括绝缘结构和与所述绝缘结构竖直地交替的导电结构，所述绝缘结构和所述导电结构布置在层中，所述层中的每一个包括所述绝缘结构中的一个和所述导电结构中的一个；

楼梯结构，其具有包括所述层的横向端的梯级；

接触件，其朝向在所述楼梯结构的不同的高程处的梯级延伸，所述接触件包括氮化物衬里；

在所述楼梯结构的上部高程中，导电延伸部正好在所述接触件的所述氮化物衬里与所述层的所述导电结构之间；以及

在所述楼梯结构的下部高程中，所述接触件完全地延伸到所述层的所述导电结构。