[发明专利]A位含硒元素的MAX相层状材料、其制备方法及应用有效

专利信息
申请号: 202110116676.7 申请日: 2021-01-28
公开(公告)号: CN112938976B 公开(公告)日: 2022-03-18
发明(设计)人: 黄庆;陈科 申请(专利权)人: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所;宁波材料所杭州湾研究院
主分类号: C01B32/90 分类号: C01B32/90;C01B21/082
代理公司: 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 代理人: 王茹;王锋
地址: 315201 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 位含硒 元素 max 层状 材料 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种A位含硒元素的MAX相层状材料,其特征在于:所述MAX相层状材料的分子式表示为Mn+1AXn,其中M选自Hf、Zr、Nb、Ti、Y中的任意一种或两种以上的任意组合,A为Se,或者,Se与S、Fe、Co中的任意一种形成的含硒合金,X为C、N元素中的任意一种或两种的任意组合,n为1、2、3或4。

2.根据权利要求1所述的A位含硒元素的MAX相层状材料,其特征在于:所述的X为CxNy,其中x+y=0.5~1.5。

3.根据权利要求1所述的A位含硒元素的MAX相层状材料,其特征在于:所述A位含硒元素的MAX相层状材料具有六方晶系结构,空间群为P63/mmc,晶胞由Mn+1Xn结构单元与含硒原子层交替堆垛而成。

4.如权利要求1-3中任一项所述A位含硒元素的MAX相层状材料的制备方法,其特征在于包括:将含M材料、含A材料、含X材料按(2~4):1:(1~3)的摩尔比均匀混合,并将所获混合物于惰性气氛中在800~1700℃高温反应30~120min,获得所述A位含硒元素的MAX相层状材料。

5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于:所述含M材料包括含M单质和/或M的合金。

6.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于:所述含A材料包括含A单质和/或A的合金。

7.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于:所述含X材料包括含X单质和/或X的合金。

8.权利要求1-3中任一项所述A位含硒元素的MAX相层状材料在超导、吸波、储能、催化、光伏、电子、热电或制备二维过渡金属碳/氮化物MXene的前驱体领域中的用途。

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