[发明专利]柔性电子学基材及其制备方法和制备系统在审
| 申请号： | 202110117303.1 | 申请日： | 2021-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN112725755A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 刘圆圆;吕沙沙;程建平;张少君;廖斌;仇猛淋 | 申请（专利权）人： | 北京师范大学 |
| 主分类号： | C23C14/48 | 分类号： | C23C14/48;C23C14/20;C23C14/32;C25D3/38;C25D7/00 |
| 代理公司： | 北京晋德允升知识产权代理有限公司 11623 | 代理人： | 刘立升 |
| 地址： | 100088 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 柔性 电子学 基材 及其 制备 方法 系统 | ||
1.一种柔性电子学基材的制备方法，其特征在于，包括步骤：
对基底进行预处理；
对预处理过的基底表面进行离子注入第一金属；
对第一金属离子注入的基底表面进行沉积第一金属；
对第一金属沉积的基底表面进行沉积第二金属。
2.根据权利要求1所述的柔性电子学基材的制备方法，其特征在于，所述基底是聚四氟乙烯薄膜，和/或所述第一金属是第Ⅳ主族金属，和/或所述第二金属是铜。
3.根据权利要求1所述的柔性电子学基材的制备方法，其特征在于，所述离子注入是通过金属蒸汽真空弧离子源，和/或所述沉积是通过磁过滤阴极真空弧源。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的柔性电子学基材的制备方法，其特征在于，还包括步骤：对第二金属沉积的基底表面进行电化学沉积第二金属。
5.根据权利要求1-3中任一项所述的柔性电子学基材的制备方法，其特征在于，在对所述基底的一个表面进行了离子注入第一金属、沉积第一金属、沉积第二金属之后再对另一个表面进行离子注入第一金属、沉积第一金属、沉积第二金属。
6.一种柔性电子学基材的制备系统，其特征在于，包括：
预处理装置，用于对基底进行预处理；
离子注入装置，用于对预处理过的基底表面进行离子注入第一金属；
第一沉积装置，用于对第一金属离子注入的基底表面进行沉积第一金属；
第二沉积装置，用于对第一金属沉积的基底表面进行沉积第二金属。
7.根据权利要求6所述的柔性电子学基材的制备系统，其特征在于，所述离子注入装置是金属蒸汽真空弧离子源。
8.根据权利要求6所述的柔性电子学基材的制备系统，其特征在于，所述第一沉积装置和/或所述第二沉积装置是磁过滤阴极真空弧源。
9.根据权利要求6-8中任一项所述的柔性电子学基材的制备系统，其特征在于，还包括电化学装置，用于对第二金属沉积的基底表面进行电化学沉积第二金属。
10.根据权利要求6-8中任一项所述的柔性电子学基材的制备系统，其特征在于，还包括换向翻面装置，用于将依次通过所述离子注入装置、所述第一沉积装置、所述第二沉积装置处理了一个表面的所述基底翻面以再次输送到所述离子注入装置、所述第一沉积装置、所述第二沉积装置依次对另一个表面进行处理。
11.一种柔性电子学基材，其特征在于，其由根据权利要求1-5中任一项所述的柔性电子学基材的制备方法或根据权利要求6-10中任一项所述的柔性电子学基材的制备系统制备。
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