[发明专利]湿法刻蚀基台及湿法制程化学台

说明书

本发明提供一种湿法刻蚀基台及湿法制程化学台，所述湿法刻蚀基台包括反应腔室、管路组件及静电导流件，所述管路组件包括刻蚀管及清洗管，所述刻蚀管用于向所述反应腔室通入刻蚀液；所述清洗管用于向所述反应腔室通入清洗液；所述静电导流件贴附于所述刻蚀管和所述清洗管中的至少一个上。通过于刻蚀管和/或清洗管上设置静电导流件，可以疏导湿法制程中聚集的电荷，避免电荷聚集到一个量级之后爆炸溅射使晶片表面产生缺陷，提高晶片的良品率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种湿法刻蚀基台及湿法制程化学台。

背景技术

伴随着半导体生产制程越来越先进，湿法刻蚀所面临的问题也越来越多。膜层沉积之前，晶片保存在无尘室的承片架上，无尘室有等级之分，即便是等级最低的无尘室也避免不了环境中有机物气体和微小颗粒的侵入，再加上前一道制程中离子、分子、颗粒等带来的污染，会影响膜层的正常生长，具体地，细微的颗粒会随着膜层生长为大的颗粒，从而使膜层突起，离子则在高温作用下在膜层中扩散，从而影响膜层的电阻率。此外，沉积后的膜层，如果表面还残留颗粒，若后一道制程是刻蚀，会阻挡刻蚀的深入，若是曝光，会影响膜层图案的形态，若是化学机械研磨，会造成膜层刮伤。

通常地，膜层在沉积前后通过RCA清洗工艺进行清洗，目前较优选的方案是在RCA清洗之前先分别通过硫酸双氧水(SPM)和稀释的氢氟酸(DHF)进行清洗。在整个制程中，由于机台内部的静电产生的感生电荷聚集达到一个量级后爆炸溅射，使清洗之后的晶片依然会产生缺陷。因此，如何避免制程中机台内部电荷聚集是一个亟待解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种湿法刻蚀基台及湿法制程化学台，以解决湿法制程中电荷聚集导致晶片缺陷的问题。

为解决上述技术问题，基于本发明的一个方面，本发明提供一种湿法刻蚀基台，其包括反应腔室、管路组件及静电导流件，

所述管路组件包括刻蚀管及清洗管，所述刻蚀管用于向所述反应腔室通入刻蚀液；所述清洗管用于向所述反应腔室通入清洗液；

所述静电导流件贴附于所述刻蚀管和所述清洗管中的至少一个上。

可选的，所述静电导流件呈管状，套设于所述刻蚀管和/或所述清洗管之外周。

可选的，所述静电导流件具有两个槽孔组，每个所述槽孔组包括多个沿所述静电导流件的延伸方向间隔排布的槽孔，所述槽孔沿径向贯通所述静电导流件；两个所述槽孔组沿径向分布于所述静电导流件的延长线的两侧，且沿所述静电导流件的延伸方向错位排布。

可选的，所述静电导流件具有沿自身的延伸方向开设的边缘缝，所述静电导流件用于通过所述边缘缝套设在所述刻蚀管和/或所述清洗管上。

可选的，所述静电导流件为聚丙烯件。

可选的，所述静电导流件接地。

可选的，所述刻蚀管和所述清洗管分别包括输液主管和旁支分管，所述旁支分管自所述输液主管的径向向外延伸，所述旁支分管与所述反应腔室连接，所述刻蚀液/清洗液自所述输液主管，经所述旁支分管通入所述反应腔室。

可选的，所述湿法刻蚀基台具有多个所述静电导流件，所述刻蚀管/清洗管位于相邻的两个所述反应腔室之间的部分设有所述静电导流件。

基于本发明的另一个方面，本发明还提供一种湿法制程化学台，其包括如上所述的湿法刻蚀基台。