[发明专利]一种基于透光板的芯片封装方法及其封装结构有效

专利信息
申请号: 202110119823.6 申请日: 2021-01-28
公开(公告)号: CN112466857B 公开(公告)日: 2021-06-25
发明(设计)人: 杨斌;崔成强;罗绍根 申请(专利权)人: 广东佛智芯微电子技术研究有限公司;广东芯华微电子技术有限公司
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L23/31;H01L21/56
代理公司: 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 代理人: 陈志超;黄家豪
地址: 528225 广东省佛山市南海区狮山镇*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 透光 芯片 封装 方法 及其 结构
【权利要求书】:

1.一种基于透光板的芯片封装方法,其特征在于,包括以下步骤:

A、提供透光板,所述透光板沿其厚度方向具有彼此相对的第一侧面和第二侧面,于所述透光板的第一侧面蚀刻具有预设线路形状的凹槽或通孔;

B、提供纳米导电金属颗粒,将所述纳米导电金属颗粒填充于所述凹槽或通孔中;

C、提供至少一个第一芯片,将所述第一芯片设置于所述透光板的第一侧面的预设位置处,且所述第一芯片的电信号连接凸点与所述纳米导电金属颗粒相接;

D、采用第一激光于所述透光板的第二侧面对所述纳米导电金属颗粒进行照射,使所述纳米导电金属颗粒烧结形成所述预设线路,并使所述第一芯片的电信号连接凸点与所述预设线路形成电性连接。

2.根据权利要求1所述的基于透光板的芯片封装方法,其特征在于,在所述步骤B中,所述纳米导电金属颗粒为纳米银颗粒、纳米金颗粒或纳米锡颗粒中的一种或多种组合物。

3.根据权利要求1所述的基于透光板的芯片封装方法,其特征在于,在所述步骤B中,包括以下步骤:

B1、提供纳米导电金属颗粒和溶剂,制作纳米导电金属膏体;

B2、将纳米导电金属膏体填充于所述凹槽或通孔中;

B3、对所述凹槽或通孔中的所述纳米导电金属膏体进行烘干半固化,若所述纳米导电金属膏体的高度低于所述凹槽或通孔的深度,则重复步骤B2,使得所述纳米导电金属膏体的高度不低于所述凹槽或通孔的深度。

4.根据权利要求3所述的基于透光板的芯片封装方法,其特征在于,在所述步骤B1中,所述溶剂为乙醇或乙二醇,且所述溶剂中添加有有机纤维素。

5.根据权利要求1所述的基于透光板的芯片封装方法,其特征在于,在所述步骤A之中,包括以下步骤:

A1、提供透光板,所述透光板沿其厚度方向具有彼此相对的第一侧面和第二侧面,采用第二激光对所述透光板的第一侧面上具有预设线路形状的区域进行照射改性;

A2、将所述透光板浸泡于氢氟酸或氟化氢溶液中进行蚀刻,使所述透光板的第一侧面形成具有预设线路形状的凹槽或通孔。

6.根据权利要求5所述的基于透光板的芯片封装方法,其特征在于,所述第一激光和所述第二激光均采用二氧化碳激光器、YAG激光器、半导体激光器、绿光激光器、氩离子激光器、紫外激光器、近红外激光器或二极管抽运固体激光器中的一种激光器发出。

7.根据权利要求6所述的基于透光板的芯片封装方法,其特征在于,所述激光器的激光功率范围为100mW~30W之间,频率范围为50KHz~1000KHz。

8.根据权利要求1所述的基于透光板的芯片封装方法,其特征在于,在所述步骤A之中,所述透光板为硅酸盐玻璃板、钙酸盐玻璃板或高硼硅玻璃板中的一种。

9.根据权利要求6所述的基于透光板的芯片封装方法,其特征在于,在所述步骤D之后,还包括以下步骤:

S1、于所述透光板的第二侧面制作重布线层,所述重布线层与所述预设线路电性连接;

S2、提供至少一个第二芯片,将所述第二芯片设置于所述重布线层的预设位置处,且所述第二芯片的电信号连接凸点与所述重布线层电性连接。

10.一种基于透光板的芯片封装结构,其特征在于,采用如权利要求1-9任意一项所述的基于透光板的芯片封装方法制作而成,包括:

透光板,所述透光板沿其厚度方向的一侧面设有具有预设线路形状的凹槽或通孔;

预设线路,所述预设线路位于所述凹槽内,且所述预设线路由纳米导电金属颗粒烧结而成;

至少一个第一芯片,所述第一芯片设置于所述透光板设置有所述预设线路的一侧面的预设位置处,且所述第一芯片的电信号连接凸点与所述预设线路电性连接。

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