[发明专利]太阳能电池及其制备方法

说明书

本发明提供一种太阳能电池及其制备方法，该制备方法包括：在硅基体的表面形成一层钝化层；在钝化层背向硅基体的表面形成第一掺杂硅薄膜；在第一掺杂硅薄膜背向硅基体的表面形成第二层硅薄膜，第二层硅薄膜包括和第一掺杂硅薄膜接触的第一部分和第二部分；对第一部分进行第二掺杂处理，并去除第二部分，使第一掺杂硅薄膜露出；对经第二掺杂处理后的硅基体进行退火处理，使第二层硅薄膜形成第二掺杂硅层，以及使第一掺杂硅薄膜形成第一掺杂硅层；在与第二掺杂硅层相对的硅基体的表面形成金属电极，使金属电极和第二掺杂硅层欧姆接触，得到太阳能电池。通过该制备方法制得的太阳能电池的金属电极不会穿透至钝化层且具有良好的透光率。

技术领域

本发明涉及一种太阳能电池及其制备方法。

背景技术

在太阳能电池制造领域，通常需要在硅基体的表面形成钝化层来降低太阳能电池的表面的少子的复合速率，进而使太阳能电池具有较高的开路电压、短路电流和能量转换效率。在形成钝化层之后，需要在钝化层的表面制备金属电极，实现金属电极和硅基体之间的欧姆接触，但是，这不可避免地破坏钝化层，使钝化层和金属电极的接触区域形成金属复合，不利于太阳能电池的表面的钝化效果。

通过在钝化层的表面制备掺杂硅层，并使金属电极和掺杂硅层欧姆接触，可以减少金属电极和钝化层之间的金属复合的问题。但是，当掺杂硅层的厚度较薄时，不能避免金属电极穿透掺杂硅层而和钝化层接触。当掺杂硅层的厚度较厚时，影响太阳能电池的光吸收率。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种太阳能电池及其制备方法，不仅能够避免金属电极穿透至钝化层，还降低了因设置掺杂硅层导致的光吸收损失。

本发明的第一方面提供了一种太阳能电池的制备方法，所述制备方法包括：

在硅基体的表面形成一层钝化层；

在所述钝化层背向所述硅基体的表面形成第一掺杂硅薄膜；

在所述第一掺杂硅薄膜背向所述硅基体的表面形成第二层硅薄膜，所述第二层硅薄膜包括和所述第一掺杂硅薄膜接触的第一部分和第二部分；

对所述第一部分进行第二掺杂处理，并去除所述第二部分，使所述第一掺杂硅薄膜露出；

对经所述第二掺杂处理后的硅基体进行退火处理，使第二层硅薄膜形成第二掺杂硅层，以及使所述第一掺杂硅薄膜形成第一掺杂硅层；

在与所述第二掺杂硅层相对的硅基体的表面形成金属电极，使所述金属电极和所述第二掺杂硅层欧姆接触，得到所述太阳能电池。

本发明提供的太阳能电池的制备方法，通过在第一掺杂硅薄膜背向硅基体的表面形成第二层硅薄膜，对第二层硅薄膜的第一部分进行第二掺杂处理，并去除第二部分，使第一掺杂硅薄膜露出，经退火处理之后第二层硅薄膜形成第二掺杂硅层，第一掺杂硅薄膜形成第一掺杂硅层。这样，在与第二掺杂硅层相对的硅基体的表面形成金属电极时，叠层的第一掺杂硅层和第二掺杂硅层为金属电极提供了较大的烧结深度，避免金属电极穿透第一掺杂硅层而和钝化层之间出现金属复合的问题，以确保钝化效果，利于提升太阳能电池的短路电流和开路电压。并且，未设置第二掺杂硅层的区域的透光率较好，利于提高太阳能电池的转换效率。

本发明的第二方面提供了一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：

硅基体；

钝化层，设于所述硅基体的表面；

第一掺杂硅层，设于所述钝化层背向所述硅基体的表面，所述第一掺杂硅层包括第三部分和第四部分；

第二掺杂硅层，设于所述第三部分背向所述硅基体的表面，所述第四部分背向所述硅基体的表面未设置所述第二掺杂硅层；以及

金属电极，与所述第二掺杂硅层欧姆接触。