[发明专利]太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

在硅基体的表面形成一层钝化层；

在所述钝化层背向所述硅基体的表面形成第一层硅薄膜，所述第一层硅薄膜包括和所述钝化层接触的第一部分和第二部分；

对所述第一部分进行第一掺杂处理，并去除所述第二部分；

在经所述第一掺杂处理后的第一部分的表面和去除所述第二部分的所述钝化层的表面形成第二层硅薄膜，位于经所述第一掺杂处理后的第一部分的表面的第二层硅薄膜向外凸出于位于所述钝化层的表面的第二层硅薄膜；

对所述第二层硅薄膜进行第二掺杂处理；

对经所述第二掺杂处理后的硅基体进行退火处理，使第一部分形成第一掺杂硅层，以及使第二层硅薄膜形成第二掺杂硅层；

在所述第二掺杂硅层背向所述硅基体的一侧且和所述第一掺杂硅层相对的位置形成金属电极，使所述金属电极和所述第二掺杂硅层欧姆接触，得到所述太阳能电池；

通过第一掺杂剂进行所述第一掺杂处理，通过第二掺杂剂进行所述第二掺杂处理，所述第一掺杂剂的掺杂元素在所述第一掺杂硅层中的掺杂浓度大于所述第二掺杂剂的掺杂元素在所述第二掺杂硅层中的掺杂浓度。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述对所述第一部分进行第一掺杂处理，并去除所述第二部分，包括：

通过离子注入法在所述第一部分背向所述钝化层的表面进行所述第一掺杂处理；

通过氨气的水溶液清洗去除所述第二部分。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在经所述第一掺杂处理后的第一部分的表面和去除所述第二部分的所述钝化层的表面形成第二层硅薄膜，包括：

在压力为0.1～0.5Torr，温度为100℃～700℃的条件下，采用低压化学气相沉积法在经所述第一掺杂处理后的第一部分的表面和去除所述第二部分的所述钝化层的表面形成所述第二层硅薄膜。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

所述第一掺杂剂和所述第二掺杂剂相同，所述第一掺杂剂包括：磷源或硼源，其中，所述磷源包括磷烷或红磷，所述硼源包括溴化硼或硼烷。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述第一掺杂剂的掺杂元素在所述第一掺杂硅层中的掺杂浓度为1.0E19atoms/cm³～2.0E21atoms/cm³；和/或

所述第二掺杂剂的掺杂元素在所述第二掺杂硅层中的掺杂浓度为1.0E19atoms/cm³～2.0E21atoms/cm³。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一层硅薄膜的材料和所述第二层硅薄膜的材料相同。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二掺杂硅层的表面形成氧化层，所述制备方法还包括：通过酸性溶液清洗去除经所述退火处理后的所述第二掺杂硅层的表面的所述氧化层；和/或

所述在所述第二掺杂硅层背向所述硅基体的一侧且和所述第一掺杂硅层相对的位置形成金属电极，使所述金属电极和所述第二掺杂硅层欧姆接触，包括：在所述第二掺杂硅层背向所述硅基体的一侧且和所述第一掺杂硅层相对的位置通过丝网印刷工艺印刷电极浆料；

将印刷有所述电极浆料的硅基体置于750℃～1000℃的烧结炉中进行烧结处理，使所述电极浆料形成和所述第二掺杂硅层欧姆接触的金属电极。