[发明专利]离子迁移谱仪迁移管、操作方法及离子迁移谱仪有效
申请号: | 202110120238.8 | 申请日: | 2021-01-28 |
公开(公告)号: | CN112924531B | 公开(公告)日: | 2023-07-28 |
发明(设计)人: | 黄翌敏 | 申请(专利权)人: | 上海奕瑞光电子科技股份有限公司 |
主分类号: | G01N27/622 | 分类号: | G01N27/622 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 佟婷婷 |
地址: | 201201 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 离子 迁移 操作方法 | ||
1.一种离子迁移谱仪迁移管,其特征在于,所述迁移管包括:
电离区,包括离化源,待测样品在所述离化源的作用下产生产物离子群;
离子门区,位于所述电离区一侧,包括第一离子门栅、第二离子门栅以及位于二者之间的绝缘片,且所述第一离子门栅靠近所述电离区设置;
聚焦区,位于所述电离区与所述离子门区之间,包括聚焦罩结构,所述聚焦罩结构与所述离化源形成聚焦电场,所述产物离子群自所述聚焦罩结构进入所述离子门区,其中,所述聚焦罩结构具有靠近所述离化源的入口以及与所述入口相对的出口,并且,所述入口的直径大于所述出口的直径,所述出口的直径大于等于所述离化源的内径;
迁移区,位于所述离子门区远离所述电离区一侧,包括若干个间隔排布的迁移区电极。
2.根据权利要求1所述的离子迁移谱仪迁移管,其特征在于,所述迁移管还包括零场隔离区,位于所述离子门区与所述迁移区之间,包括隔离区电极,所述离子门区输出的所述产物离子群自所述隔离区电极进入所述迁移区。
3.根据权利要求2所述的离子迁移谱仪迁移管,其特征在于,所述隔离区电极与所述第二离子门栅为一体成型的结构;所述隔离区电极的长度介于2mm-6mm之间。
4.根据权利要求1所述的离子迁移谱仪迁移管,其特征在于,所述聚焦罩结构与所述第一离子门栅为一体成型的结构;所述聚焦罩结构的长度介于3mm-8mm之间。
5.根据权利要求1所述的离子迁移谱仪迁移管,其特征在于,所述聚焦罩结构的形状包括锥形、弧形及喇叭形中的任意一种。
6.一种离子迁移谱仪,其特征在于,包括如权利要求1-5中任意一项所述的迁移管。
7.一种如权利要求1-5中任意一项所述的离子迁移谱仪迁移管的操作方法,其特征在于,所述操作方法包括如下步骤:
提供关闭电压,以关闭离子门,所述关闭电压控制方式包括:离化区的电压大于第二离子门栅的电压大于第一离子门栅的电压大于第一个迁移区电极的电压;
提供开启电压,以开启离子门,所述开启电压的控制方式包括:在所述第一离子门栅处施加脉冲电压,并控制所述第一离子门栅的总电压大于所述第二离子门栅的电压大于第一个迁移区电极的电压。
8.根据权利要求7所述的离子迁移谱仪迁移管的操作方法,其特征在于,在所述离子门开启的过程中,在所述第一离子门栅上施加所述脉冲电压的同时还在所述第二离子门栅上施加补偿电压,所述补偿电压施加的时长为所述脉冲电压施加时长的5%-10%。
9.根据权利要求8所述的离子迁移谱仪迁移管的操作方法,其特征在于,所述补偿电压的电压值不大于所述脉冲电压的电压值。
10.根据权利要求8所述的离子迁移谱仪迁移管的操作方法,其特征在于,所述补偿电压的施加与所述脉冲电压同时施加。
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