[发明专利]显示设备在审
申请号: | 202110120317.9 | 申请日: | 2021-01-28 |
公开(公告)号: | CN113206132A | 公开(公告)日: | 2021-08-03 |
发明(设计)人: | 全景辰;具素英;金亿洙;林俊亨 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艳;陈俊 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 | ||
实施例涉及一种显示设备,所述显示设备包括:薄膜晶体管,所述薄膜晶体管面对基底并且包括包括沟道区、源极区和漏极区的半导体层和栅极电极,缓冲层在所述薄膜晶体管和所述基底之间;导电图案,所述导电图案在所述基底和所述半导体层之间并且连接到所述半导体层,所述导电图案面对所述半导体层,所述缓冲层在所述导电图案和所述半导体层之间;接触孔,所述接触孔在所述缓冲层中并且将所述导电图案暴露到所述缓冲层外部;以及显示元件,所述显示元件电连接到所述薄膜晶体管。所述源极区或所述漏极区延伸穿过所述缓冲层中的所述接触孔,以接触所述导电图案并且将所述半导体层连接到所述导电图案。
本申请要求于2020年1月30日提交的第10-2020-0011355号韩国专利申请的优先权和由其产生的所有权益,该韩国专利申请的公开内容通过引用全部合并且在本文中。
技术领域
一个或多个实施例涉及一种显示设备,并且更具体地涉及一种由包括氧化物半导体的薄膜晶体管驱动的显示设备。
背景技术
显示设备可视地显示数据。显示设备可以用作诸如移动电话的小尺寸产品中的显示器或者诸如电视机的大尺寸产品中的显示器。
显示设备包括通过接收电信号而发光的多个像素,从而利用该光在外部显示图像。像素中的每一个包括发光装置或显示元件。有机发光显示设备包括有机发光二极管作为发光装置。通常,薄膜晶体管和有机发光二极管在基底上并且有机发光二极管在有机发光显示设备之内产生和发射光。
由于显示设备的用途已经增加,因此正在研究提高显示设备的显示质量。
发明内容
一个或多个实施例包括一种由包括氧化物半导体的薄膜晶体管驱动的显示设备,其中薄膜晶体管的半导体层和在半导体层下方的导电图案可以经由缓冲层中的接触孔彼此直接连接。一个或多个实施例包括一种显示设备,其中在保持像素的开口率的同时可以改善由半导体层的部分去除而导致的电流传输。
然而,上述技术特征是示例性的,并且本公开的范围不限于此。
附加特征将在下面的描述中部分地被阐述并且部分地从该描述将是明显的,或者可以通过实践本公开的所呈现的实施例而获悉。
根据一个或多个实施例,一种显示设备包括:基底;缓冲层,所述缓冲层在所述基底上;第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管面对所述基底,所述缓冲层在所述第一薄膜晶体管和所述基底之间,所述第一薄膜晶体管包括:第一半导体层,所述第一半导体层包括氧化物半导体材料并且包括第一沟道区、第一源极区和第一漏极区,和第一栅极电极,所述第一栅极电极面对所述缓冲层,所述第一半导体层在所述第一栅极电极和所述缓冲层之间;导电图案,所述导电图案面对所述第一半导体层并且连接到所述第一半导体层,所述缓冲层在所述导电图案和所述第一半导体层之间;第一接触孔,所述第一接触孔在所述缓冲层中并且将所述导电图案暴露到所述缓冲层外部;以及显示元件,所述显示元件电连接到所述第一薄膜晶体管并且发射光。所述第一半导体层的所述第一源极区或所述第一漏极区延伸穿过所述缓冲层中的所述第一接触孔,以接触所述导电图案并且将所述第一半导体层连接到所述导电图案。
所述导电图案可以与所述第一沟道区重叠。例如,所述导电图案可以面对所述第一沟道区,所述缓冲层在所述导电图案和所述第一沟道区之间。
所述显示设备还可以包括:绝缘层,所述绝缘层在所述第一栅极电极上;以及第二接触孔,所述第二接触孔在所述绝缘层中并且暴露所述第一半导体层,其中,所述显示元件可以经由所述第二接触孔连接到所述第一半导体层。例如,所述显示设备还可以包括:绝缘层,所述绝缘层面对所述第一半导体层,所述第一栅极电极在所述绝缘层和所述第一半导体层之间;以及第二接触孔,所述第二接触孔在所述绝缘层中,所述第二接触孔将所述第一半导体层暴露到所述绝缘层外部,其中,所述显示元件可以在所述第二接触孔处连接到所述第一薄膜晶体管的所述第一半导体层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的