[发明专利]多晶硅清洗回收预处理单元、清洗机及清洗方法

权利要求书

1.一种多晶硅清洗回收预处理单元，其特征在于,包括上端开口的壳体(11)、进水管(12)、溢流槽(13)、固废收集管(14)、固废收集箱(15)、风淋板(16)和提升机构(17)，所述进水管(12)安装在所述壳体(11)下端并且能够将清洗液输送至所述壳体(11)的内腔中，所述壳体(11)内腔中的清洗液能够从壳体(11)中溢出到所述溢流槽(13)内，所述固废收集箱(15)位于所述壳体(11)的下方，在所述壳体(11)的内腔底端开设有废料出口(18)，所述固废收集管(14)连通所述废料出口(18)和固废收集箱(15)，所述提升机构(17)能够将盛放多晶硅的料篮(7)放入所述壳体(11)的内腔中，并能够将所述料篮(7)向上提升至所述风淋板(16)的下方，所述风淋板(16)具有进气口和多个出气孔，所述出气孔的开口方向向下设置。

2.根据权利要求1所述的多晶硅清洗回收预处理单元，其特征在于，所述壳体(11)的内腔底部设置有沉淀板(19)，所述沉淀板(19)的上表面中部高四周低，所述进水管(12)的出水口设置在所述沉淀板(19)的中部，所述废料出口(18)位于所述沉淀板(19)的外缘处。

3.根据权利要求2所述的多晶硅清洗回收预处理单元，其特征在于，所述壳体(11)内还设置有布流板(20)，所述布流板(20)上开设有多个通孔，所述布流板(20)位于所述沉淀板(19)的上侧，当所述料篮(7)位于所述壳体(11)内腔中时，所述布流板(20)位于所述料篮(7)的下方。

4.根据权利要求3所述的多晶硅清洗回收预处理单元，其特征在于，所述布流板(20)的上表面中部高四周低。

5.根据权利要求1所述的多晶硅清洗回收预处理单元，其特征在于，所述溢流槽(13)位于所述壳体(11)的外侧并环绕所述壳体(11)，所述溢流槽(13)通过溢流管(21)与水箱(22)连通，所述进水管(12)上安装有水泵(23)。

6.根据权利要求5所述的多晶硅清洗回收预处理单元，其特征在于，所述水箱(22)上还设置有补水管(24)。

7.根据权利要求1所述的多晶硅清洗回收预处理单元，其特征在于，所述风淋板(16)的截面形状呈人字形，所述风淋板(16)的进气口位于所述风淋板(16)的顶端，所述风淋板(16)位于所述壳体(11)的正上方。

8.根据权利要求7所述的多晶硅清洗回收预处理单元，其特征在于，所述提升机构(17)包括吊钩，所述风淋板(16)上开设有长条形槽，所述吊钩能够向上移动并穿过所述长条形槽，使得所述风淋板(16)能够罩在所述料篮(7)上。

9.一种多晶硅清洗机，其特征在于，包括酸刻蚀单元(3)、清洗单元、干燥单元(6)和根据权利要求1-8中任意一项所述的所述多晶硅清洗回收预处理单元(1)，所述预处理单元(1)能够去除所述料篮(7)中待清洗的多晶硅上的灰分，所述酸刻蚀单元(3)能够对所述料篮(7)中去除灰分的多晶硅进行酸刻蚀，所述清洗单元能够清洗酸刻蚀后的多晶硅，所述干燥单元(6)能够干燥清洗后的多晶硅。

10.一种多晶硅清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：

清除待清洗的多晶硅上的灰分；酸刻蚀清除灰分的多晶硅；清洗酸刻蚀后的多晶硅；干燥清洗后的多晶硅；

所述清除待清洗的多晶硅上的灰分，包括通过向上顶水和水浴溢流的方式清洗所述多晶硅，对清洗后的多晶硅进行风淋。