[发明专利]一种CVD沉积石墨烯的规模化制备设备

权利要求书

1.一种CVD沉积石墨烯的规模化制备设备，其特征在于，包括制备腔室、反应室、冷却室、液体气密池和传送带组件；

所述制备腔室为密闭腔室，所述制备腔室包括主腔室和副腔室，所述主腔室的出口端和副腔室的进口端连通，所述制备腔室的部分底面向下凹陷形成液体气密池，且主腔室出口端和副腔室的进口端均位于液体气密池的液位以下；

所述传送带组件布置在制备腔室内，经过液体气密池后经副腔室出口端延伸至制备腔室的外侧；

沿传送带组件的输送方向，反应室和冷却室依次布置在制备腔室内，且反应室和冷却室的开口端均朝向传送带组件设置。

2.根据权利要求1所述的CVD沉积石墨烯的规模化制备设备，其特征在于，所述反应室为底部具有开口的腔体，且反应室两个相对设置的侧板上设置有凹槽结构，所述凹槽结构罩设在传送带组件的上部。

3.根据权利要求2所述的CVD沉积石墨烯的规模化制备设备，其特征在于，所述反应室顶板外侧与制备腔室之间存在保温间距，所述反应室顶板和侧板外侧包裹有保温材料。

4.根据权利要求2所述的CVD沉积石墨烯的规模化制备设备，其特征在于，所述反应室的顶板外侧通过绝缘结构吊设在制备腔室内；所述反应室顶板内侧通过绝缘结构吊设有放电芒线，放电芒线与负极连接。

5.根据权利要求2所述的CVD沉积石墨烯的规模化制备设备，其特征在于，所述反应室的下部设置加热元件支架，所述加热元件支架上设置有加热元件；

在竖直方向上，所述加热元件支架和加热元件延伸至反应室的开口处；

传送带组件的上层传送带和下层传送带分别位于加热元件的上侧和下侧；

所述反应室内设置有热电偶。

6.根据权利要求1所述的CVD沉积石墨烯的规模化制备设备，其特征在于，所述冷却室包括底部具有开口的腔体，且冷却室的两个相对设置的侧板上设置有凹槽结构，冷却室的凹槽结构罩设在传送带组件的上部；

所述冷却室内设置有冷排管，所述冷排管的液氮进口和液氮出口延伸至制备腔室的外侧，冷排管处于传送带组件的上部。

7.根据权利要求1所述的CVD沉积石墨烯的规模化制备设备，其特征在于，所述液体气密池包括相互套接刻蚀槽和清洗槽；

所述清洗槽为制备腔室部分底面向下凹陷形成的结构；

所述制备腔室内设置有隔板，该隔板将制备腔室分割成主腔室和副腔室；

隔板其中一侧与清洗槽的侧壁构成主腔室的出口端，其另一侧与清洗槽的侧壁构成副腔室的进口端；

隔板的下端插接在刻蚀槽中，且隔板下端位于刻蚀槽液位以下；

所述刻蚀槽内设置有刻蚀剂，所述清洗槽内设置有去离子水；

所述刻蚀槽的内表面，以及隔板的下端设置有防腐层。

8.根据权利要求1所述的CVD沉积石墨烯的规模化制备设备，其特征在于，所述副腔室的出口端设置有与副腔室出口端密闭连接的弹性气密件；

所述弹性气密件上设置有传送带组件上设置有供传送带组件穿过的通道；

所述弹性气密组件还包括加紧部，所述加紧部向弹性气密件施加压力，以控制通道与传送带组件之间的间距。

9.根据权利要求8所述的CVD沉积石墨烯的规模化制备设备，其特征在于，所述弹性气密件包括从从上到下依次设置的第一垫板、第二垫板、第三垫板和第四垫板；

第二垫板和第三垫板之间，以及第三垫板和第四垫板之间设置有传送带组件通道。

10.根据权利要求1所述的CVD沉积石墨烯的规模化制备设备，其特征在于，所述传送带组件包括滚筒，以及缠绕在滚筒上传送带，所述传送带的上表面设置有基底，并且基底与阳极相连。