[发明专利]半导体封装装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装装置，包括：

芯片组件，所述芯片组件包括至少一个芯片，所述芯片的主动面设有芯片电连接件；

粘合层，设于所述芯片组件上且包覆所述芯片组件；

重布线层，设于所述芯片组件上；

所述重布线层具有第一导电柱，所述第一导电柱穿过所述粘合层电连接所述重布线层和所述芯片电连接件，所述第一导电柱下表面周长和/或面积小于所述芯片电连接件的上表面周长和/或面积。

2.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述第一导电柱上表面的周长和/或面积大于所述第一导电柱下表面的周长和/或面积。

3.根据权利要求2所述的半导体封装装置，其中，所述第一导电柱上表面的周长与所述第一导电柱下表面的周长的比值在1到25之间。

4.根据权利要求2所述的半导体封装装置，其中，所述第一导电柱包括分别设于所述第一导电柱上部和下部的圆柱导电柱和倒圆台导电柱，所述圆柱导电柱的直径大于所述倒圆台导电柱的上表面直径，所述倒圆台导电柱部分嵌入所述重布线层。

5.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述第一导电柱具有金属层和包围所述金属层的种子层。

6.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述半导体封装装置还包括：

衬底，所述粘合层和所述芯片组件设于所述衬底上。

7.根据权利要求6所述的半导体封装装置，其中，所述重布线层还包括第二导电柱，所述第二导电柱穿过所述粘合层电连接所述重布线层和所述衬底上表面设置的衬底内电连接件，所述第二导电柱下表面周长和/或面积小于所述衬底内电连接件的上表面的周长和/或面积。

8.根据权利要求6或7所述的半导体封装装置，其中，所述半导体封装装置还包括设于所述衬底下表面的衬底外电连接件。

9.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述半导体封装装置还包括设于所述重布线层上表面的外部电连接件。

10.一种制造半导体封装装置的方法，包括：

在载板上形成至少一个临时导电柱；

在各所述临时导电柱顶端形成保护层和种子层；

在所述载板上形成厚度小于各所述临时导电柱高度的第一线路层，所述第一线路层包围各所述临时导电柱底部；

去除各所述临时导电柱顶部的保护层；

在所述第一线路层上设置加固介电层，各所述临时导电柱露出所述加固介电层，所述第一线路层和所述加固介电层形成重布线层；

蚀刻以去掉所述临时导电柱顶部的边缘部分；

将芯片组件设置于衬底上；

利用非导电胶将包括所述载板、所述临时导电柱和所述重布线层的结构粘合至所述芯片组件和所述衬底上；

移除所述载板；

蚀刻掉所述结构表面的种子层，以及湿刻掉所述临时导电柱，以形成相应临时导孔；

对各所述临时导孔进行干刻，以使得各所述临时导孔接触所述芯片组件的芯片电连接件或所述衬底上的衬底内电连接件；

在各所述临时导孔和所述结构表面涂覆光刻胶进行光刻再电镀后移除光刻胶，以在各所述临时导孔形成第一导电柱，以及在所述结构表明形成线路图案；

在所述结构表面制作线路层；

在所述结构表面贴装电子元件；

在所述衬底下表面安装衬底外电连接件。