[发明专利]一种芯片中转台加热保护双拾取头装置及工艺方法在审

专利信息
申请号: 202110122148.2 申请日: 2021-01-29
公开(公告)号: CN112701070A 公开(公告)日: 2021-04-23
发明(设计)人: 王云峰;孙宇勤;许明鑫 申请(专利权)人: 大连佳峰自动化股份有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 沈阳利泰专利商标代理有限公司 21209 代理人: 吴维敬
地址: 116600 辽宁省大连市大*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 芯片 转台 加热 保护 拾取 装置 工艺 方法
【说明书】:

一种芯片中转台加热保护双拾取头装置,属于装片机设备技术领域,一种芯片中转台加热保护双拾取头装置,包括轨道组件、摄像组件、贴片组件、Wafer盘芯片拾取组件、Wafer盘,所述装置还设有中转加热台,所述中转加热台设置于轨道组件上,所述中转加热台放置芯片的位置中心与轨道框架中的贴片中心在一条水平直线,所述Wafer盘芯片拾取组件的取片位置中心和中转加热台的芯片放置中心在一条水平线。本发明通过改变装置结构并减少了压膜的过程,增加了加热中转台,减少装片过程中产生的气泡和空洞率,达到满足更高一层的产品需求。

技术领域

本发明属于装片机设备技术领域,具体涉及一种芯片中转台加热保护双拾取头装置及工艺方法。

背景技术

现有软焊料装片机设备装片过程主要采取的工艺方式为:框架上料—轨道搬送—点锡压膜—拍照定位—芯片拾取后同焊料贴装—冷却下料。该种工艺的贴片方式是预先留下一个完成的焊锡区域,焊锡的回流在压膜过程中已经完成,然后将芯片直接放在该区域中。芯片在和焊锡接触过程中容易留下气泡和空洞,且压膜后的焊锡区域无法保证和芯片大小相接近,多有焊锡将芯片包裹的情况,芯片贴装完之后,空洞率比较高,是因为芯片温度低,而在轨道中的引线框架温度高。两者有温差,所以造成了上述现象。现有的软焊料设备采用的工艺技术多适用于要求不是特别严格的一般产品中,无法满足高要求的产品需要。

发明内容

基于上述技术问题,本发明提出一种芯片中转台加热保护双拾取头装置及工艺方法,通过改变装置结构并减少了压膜的过程,增加了加热中转台,减少装片过程中产生的气泡和空洞率,达到满足更高一层的产品需求。

本发明采用如下技术方案:

一种芯片中转台加热保护双拾取头装置,包括轨道组件、摄像组件、贴片组件、Wafer盘芯片拾取组件、Wafer盘,所述贴片组件上设有Wafer盘芯片拾取组件,所述Wafer盘芯片拾取组件一端与贴片组件固定相连,另一端与机架固定相连,所述贴片组件上方设有摄像组件,所述装置还设有中转加热台,所述中转加热台设置于轨道组件上,所述中转加热台放置芯片的位置中心与轨道框架中的贴片中心在一条水平直线,所述Wafer盘芯片拾取组件的取片位置中心和中转加热台的芯片放置中心在一条水平线。

进一步地,所述中转加热台包括盖板、加热台、加热台支架、固定架、热电偶、加热棒、铝弯管接头、铝管接头,所述加热台固定于加热台支架上,所述加热台上设有热电偶、加热棒,所述加热台上方设有盖板,所述加热台支架上于盖板一侧设有铝弯管接头、铝管接头,加热台支架经固定架固定在轨道组件上。

进一步地,所述摄像组件包括Wafer摄像组合、中转加热台摄像组件、贴片摄像组件,所述Wafer摄像组合、中转加热台摄像组件、贴片摄像组件的三个相机中心分别与贴片位置、中转加热台放置位置、Wafer盘取片位置相重合。

进一步地,所述贴片组件包括固定立柱、XYZ三方向运动电机组件、拾取头组件,所述XYZ三方向运动电机组件固定在固定立柱上,所述拾取头组件与XYZ三方向运动电机组件相连。

一种芯片中转台加热保护双拾取头装置的工艺方法,所述方法包括框架上料—轨道搬送—点锡—拍照定位—芯片拾取并贴片—冷却下料。

本结构是在传统工艺基础上进行工艺升级,变更为:框架上料—轨道搬送—点锡—拍照定位—芯片拾取并贴片—冷却下料。该工艺过程也是在加热和气体保护环境下完成。但是该工艺过程减少了压膜的步骤,增添了中转台过渡的方式,在芯片拾取并贴片的工艺过程中一个拾取头从wafer盘上拾取芯片后放置在该中转台上进行预热,另一个拾取头将中转台上的芯片取出和点锡结束后的框架相结合。这样依次循环,完成每一个芯片的贴装过程。

本发明的优点与效果为:

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