[发明专利]具有由粘合层连接的源极触点的三维存储器件及其形成方法

权利要求书

1.一种三维存储器件，包括：

衬底之上的存储器堆叠层，所述存储器堆叠层包括交织的多个导体层和多个绝缘层；

在所述存储器堆叠层中的多个沟道结构；以及

在所述存储器堆叠层中延伸的源极结构，其中，所述源极结构竖直延伸穿过所述存储器堆叠层并接触所述衬底，并且其中，所述源极结构包括：

第一区段和第二区段；

位于所述第一区段和第二区段之间的支撑结构；以及

粘合层，其中，所述粘合层的至少一部分延伸穿过所述支撑结构并将所述第一区段和所述第二区段导电连接。

2.根据权利要求1所述的三维存储器件，其中，所述粘合层包括：

处于所述第一区段和所述支撑结构之间的第一部分；

处于所述第二区段和所述支撑结构之间的第二部分；以及

包括所述粘合层的延伸穿过所述支撑结构的所述部分的第三部分；

其中，所述第一部分和所述第二部分与所述第三部分导电连接。

3.根据权利要求2所述的三维存储器件，其中：

所述第一区段包括与所述第一部分接触的第一源极触点；并且

所述第二区段包括与所述第二部分接触的第二源极触点。

4.根据权利要求3所述的三维存储器件，其中：

所述第一区段包括处于所述第一源极触点之上的第一连接层；并且

所述第二区段包括处于所述第二源极触点之上的第二连接层，其中：

所述支撑结构包括处于所述粘合层的所述第三部分之上的切割层；并且

所述切割层在所述第一连接层和所述第二连接层之间。

5.根据权利要求4所述的三维存储器件，其中，所述第一连接层、所述第二连接层或所述切割层中的至少一个包括钨、钴、铝、铜、硅化物或多晶硅中的至少一种。

6.根据权利要求4或5所述的三维存储器件，其中，所述粘合层包括：

处于所述第一连接层和所述切割层之间的第四部分；以及

处于所述第二连接层和所述切割层之间的第五部分，

其中，所述第四部分和所述第五部分与所述第三部分导电连接。

7.根据权利要求6所述的三维存储器件，其中，所述支撑结构包括：

处于所述切割层之上并与所述切割层接触的帽盖层，其中，所述切割层在所述第一连接层和所述第二连接层之间并将所述第一连接层和所述第二连接层分隔。

8.根据权利要求7所述的三维存储器件，其中，所述帽盖层包括氧化硅。

9.根据权利要求7所述的三维存储器件，其中，所述帽盖层的上表面和所述第一连接层或所述第二连接层的上表面是共面的。

10.根据权利要求7所述的三维存储器件，其中：

所述第四部分沿所述支撑结构并且在所述第一连接层和所述帽盖层之间竖直延伸；或者

所述第五部分沿所述支撑结构并且在所述第二连接层和所述帽盖层之间竖直延伸。

11.根据权利要求6所述的三维存储器件，其中，所述粘合层包括：

处于所述第一连接层和所述第一源极触点之间的第六部分；以及

处于所述第二连接层和所述第二源极触点之间的第七部分，

其中，所述第六部分和所述第七部分与所述第三部分导电连接。

12.根据权利要求4所述的三维存储器件，其中：

沿着所述源极结构延伸所沿的横向方向，所述切割层的宽度标称上等于所述支撑结构在所述粘合层的所述第三部分之下的宽度。

13.根据权利要求3所述的三维存储器件，其中，所述第一源极触点或所述第二源极触点包括多晶硅。