[发明专利]一种垂直生长的超薄Cr2

权利要求书

1.一种垂直生长的超薄Cr₂Te₃单晶纳米片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

(1)将碲源、铬源和基底放置于化学气相沉积炉中对应的温区，其中，所述基底是将多片SiO₂/Si基片呈阶梯式错开叠放；

(2)加热，通入氩气和氢气作为载气进行化学气相沉积，沉积结束后，在基底上得到垂直生长的Cr₂Te₃单晶纳米片。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，相邻SiO₂/Si基片错开间距1-2mm，基底的垂直总高度为420-1400μm。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述铬源位于化学气相沉积炉的中心恒温区，温度范围为700-780℃。

4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述铬源放置的温区温度范围为740～760℃。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述碲源放置于化学气相沉积炉上游的变温区，温度范围为500-550℃。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述基底与所述铬源水平距离为30-40mm。

7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述基底放置在下游变温区，温度范围为720-730℃。

8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，化学气相沉积的时间为5-15min。

9.如权利要求1-8中任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，氩气流量为150-200sccm，氢气流量占载气总流量的10-20％。

10.如权利要求1-8中任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，制备的Cr₂Te₃单晶纳米片呈六边形或菱形的菱方相结构，所述纳米片晶粒大小为3-100μm，厚度2-100nm。