[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

金属栅极对，从所述半导体衬底向上彼此平行延伸，并且具有彼此间隔开的内侧壁；

第一沟道区域和第二沟道区域，设置在所述金属栅极对的所述内侧壁之间；

第一漏极区域和第二漏极区域，分别设置在所述金属栅极对的所述内侧壁之间，并且分别设置在所述第一沟道区域和所述第二沟道区域正上方；

第一源极区域和第二源极区域，分别设置在所述第一沟道区域和所述第二沟道区域正下方的所述金属栅极对的所述内侧壁之间，所述第一沟道区域和所述第二沟道区域将所述第一漏极区域和所述第二漏极区域与所述第一源极区域和所述第二源极区域分隔开；

电容器介电结构，设置在所述金属栅极对的所述内侧壁之间，并且设置在所述第一源极区域和所述第二源极区域下方；以及

底部电容器电极，设置在所述金属栅极对的所述内侧壁之间，并且设置在所述电容器介电结构下方，所述电容器介电结构将所述第一漏极区域和所述第二漏极区域与所述底部电容器电极分隔开。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

氧化物区域，位于所述半导体衬底上方和所述金属栅极对的所述内侧壁之间，其中，所述氧化物区域位于所述金属栅极对的所述内侧壁中间，并且将所述第一沟道区域和所述第二沟道区域彼此分隔开。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一沟道区域和第二沟道区域包括铟镓锌氧化物(IGZO)。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电容器介电结构在所述第一源极区域和所述第二源极区域下面从所述第一源极区域的外边缘连续延伸至所述第二源极区域的外边缘。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述底部电容器电极在所述电容器介电结构下面从所述第一源极区域的外边缘连续延伸至所述第二源极区域的外边缘。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一漏极区域和所述第二漏极区域分别耦接至第一位线和第二位线，其中，所述第一位线和所述第二位线配置为施加对应于不同数据状态的不同偏压；并且其中，所述底部电容器电极耦接至接地线。

7.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

底部电容器电极，设置在所述半导体衬底上方；

下部电容器介电结构，设置在所述底部电容器电极上方；

第一下部源极区域和第二下部源极区域，设置在所述下部电容器介电结构上方并且彼此横向间隔开；

下部沟道区域，设置在所述第一下部源极区域和所述第二下部源极区域正上方；

第一下部漏极区域和第二下部漏极区域，位于所述下部沟道区域正上方，其中，所述下部沟道区域将所述第一下部漏极区域和所述第二下部漏极区域分别与所述第一下部源极区域和所述第二下部源极区域分隔开；

栅极介电区域对，在通常垂直于所述半导体衬底的上表面并且彼此平行的方向上向上延伸，所述栅极介电区域对具有横向限制所述底部电容器电极的外边缘、横向限制所述第一下部源极区域和所述第二下部源极区域的外边缘、横向限制所述下部沟道区域的外边缘并且横向限制所述第一下部漏极区域和所述第二下部漏极区域的外边缘的内侧壁；以及

金属栅极对，与所述栅极介电区域对平行向上延伸，其中，所述金属栅极对具有分别沿所述栅极介电区域对的外侧壁延伸的内侧壁。