[发明专利]半导体元件在审
| 申请号： | 202110124890.7 | 申请日： | 2021-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN113394273A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 谌俊元;王培宇;苏焕傑;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体元件，其特征在于，包括:
具有一顶部表面及一底部表面的一源极/漏极特征；
形成为与该源极/漏极特征的该顶表面接触的一第一硅化物层；
在该第一硅化物层上形成的一第一导电特征；及
一第二导电特征，具有一主体部分及从该主体部分延伸的一第一侧壁部分，其中该主体部分在该源极/漏极特征的该底部表面下方，且该第一侧壁部分与该第一导电特征接触。
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