[发明专利]一种斜栅型氧化镓场效应晶体管及制备方法有效
| 申请号： | 202110125791.0 | 申请日： | 2021-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN112951918B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 吕元杰;刘宏宇;徐森峰;王元刚;付兴昌;梁士雄;郭红雨;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/24;H01L29/10;H01L21/34 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 李荣文 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 斜栅型 氧化 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
1.一种斜栅型氧化镓场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底上外延生长n型氧化镓沟道层；
在所述n型氧化镓沟道层的两端分别沉积源电极和漏电极；
在所述n型氧化镓沟道层上栅电极预设区域上生长p型介质，形成一厚度从靠近所述源电极一端到靠近所述漏电极一端逐渐变薄的p型介质层；
在所述p型介质层上沉积栅电极；其中，所述栅电极的长度为大于等于50nm，小于等于10μm；
其中，形成所述p型介质层的步骤包括：
在沉积所述源电极和漏电极的所述n型氧化镓沟道层上制备掩膜图形，露出栅电极对应的预设区域，形成待生长或溅射p型介质层的样品；将盛放所述样品的托盘与所述p型介质层的生长源或靶材呈预设角度放置，使得所述p型介质层在预设区域内的沉积或淀积速率从靠近所述源电极一侧的区域向靠近所述漏电极一侧的区域逐渐变小；生长或溅射p型介质，形成厚度从靠近所述源电极一侧的区域向靠近所述漏电极一侧的区域逐渐变薄。
2.如权利要求1所述的斜栅型氧化镓场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述在所述n型氧化镓沟道层的两端分别沉积源电极和漏电极之前，还包括：
在所述n型氧化镓沟道层的两端通过离子注入，形成n+区域；
在所述n+区域上分别沉积源电极和漏电极。
3.如权利要求1所述的斜栅型氧化镓场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述p型介质层内的载流子浓度大于等于1×1016cm-3。
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