[发明专利]一种晶硅太阳能电池的钝化方法及应用

说明书

本申请公开了一种晶硅太阳能电池的钝化方法及应用，属于太阳能电池技术领域。所述晶硅太阳能电池的钝化方法，在氧化铝钝化薄膜工序与氮化硅薄膜工序之间，还包括以下步骤：向设备内通入氨气；当通入氨气达到第一预设时长，开启射频放电，对晶硅太阳能电池的氧化铝钝化薄膜进行处理；当射频放电达到第二预设时长，关闭射频放电，停止通入氨气。所述晶硅太阳能电池的钝化方法主要应用于N型隧穿氧化层钝化接触单晶硅电池和P型双面钝化发射极背面接触单晶硅电池。本发明的晶硅太阳能电池的钝化方法，通过在氧化铝薄膜工序和氮化硅薄膜工序之间增加了氨气和射频放电工艺，提高了太阳能电池的钝化效果，从而进一步提升太阳能电池的转化效率。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种晶硅太阳能电池的钝化方法及应用。

背景技术

常规N型隧穿氧化层钝化接触(TopCon)单晶硅电池和P型双面钝化发射极背面接触(PERC)单晶硅电池在增加了氧化铝场钝化后，由于硅片与氮化硅薄膜中间增加了一层氧化铝薄膜，导致氮化硅薄膜本身的H钝化效果减弱，即氧化铝薄膜过厚，会导致氮化硅薄膜H钝化效果差，从而导致整体钝化效果减弱。若氧化铝薄膜厚度过薄，则会导致氧化铝本身的场钝化效果差，起不到增强钝化效果的目的。氧化铝薄膜的厚度对整体钝化效果起着限制作用。

因此，如何充分利用氮化硅薄膜的H钝化效果和氧化铝薄膜的场钝化效果，是进一步提高太阳能电池的钝化效果，从而进一步提升太阳能电池转化效率的关键因素之一。

发明内容

基于此，本发明要解决的技术问题是提供一种晶硅太阳能电池的钝化方法及应用，以解决现有生产中氮化硅薄膜的H钝化效果和氧化铝薄膜的场钝化效果相互制约，无法有效提高太阳能电池钝化效果的技术问题。

为了实现上述目的，本申请实施例一方面提供了一种晶硅太阳能电池的钝化方法，在氧化铝钝化薄膜工序与氮化硅薄膜工序之间，还包括以下步骤：

向设备内通入氨气；当通入氨气达到第一预设时长，开启射频放电，对晶硅太阳能电池的氧化铝钝化薄膜进行处理；当射频放电达到第二预设时长，关闭射频放电，停止通入氨气。

本发明实施例提供的晶硅太阳能电池的钝化方法，通过增加氨气及射频放电，增加硅片表面的H含量，提升H钝化效果，从而减少了由于增加氧化铝薄膜而导致的H钝化效果减弱的影响，同时在保证H钝化效果的前提下，还可以在一定程度上增加氧化铝薄膜的厚度以进一步提升场钝化效果。

在一种可能的实现方式中，所述第一预设时长为不少于10s，不大于30s。

在一种可能的实现方式中，所述第二预设时长为20s-240s。

在一种可能的实现方式中，所述氨气的流量为5000-13000sccm。

在一种可能的实现方式中，所述射频放电的功率8000-15000w。

在一种可能的实现方式中，所述第一预设时长为不少于10s，不大于30s，所述第二预设时长为20s-240s，所述氨气的流量为5000-13000sccm。

在一种可能的实现方式中，所述氧化铝钝化薄膜采用原子层沉积法制备。

在一种可能的实现方式中，所述氧化铝钝化薄膜的工艺时间在常规设计的基础上延长30-120s。

本申请实施例另一方面提供了一种N型隧穿氧化层钝化接触单晶硅电池，采用上述晶硅太阳能电池的钝化方法处理制成。

本申请实施例另一方面提供了一种P型双面钝化发射极背面接触单晶硅电池，采用上述晶硅太阳能电池的钝化方法处理制成。

本申请实施例在现有晶硅太阳能电池钝化技术的基础上，在N型TopCon单晶硅电池正面或P型PERC单晶硅电池背面沉积氧化铝及氮化硅膜中间增加氨气和射频放电，通过增加H钝化增强整体的钝化效果从而提升电池效率。