[发明专利]一种碳化硅单晶体的生长方法有效
| 申请号： | 202110125864.6 | 申请日： | 2021-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN112725895B | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 徐洙莹;金宰年;叶宏伦;钟其龙;刘崇志 | 申请（专利权）人： | 北京利宝生科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 泉州市文华专利代理有限公司 35205 | 代理人： | 陈雪莹 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 单晶体 生长 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种碳化硅单晶体的生长方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：
步骤1、对碳化硅粉体进行第一次热处理；第一次热处理的条件为：温度2030±25℃，压强500±50torr，处理时间3±0.25小时；
步骤2、将1wt%-2wt%的硅粉加入到步骤1处理过的碳化硅粉体中；
步骤3、将步骤2得到的碳化硅粉体进行第二次热处理，该第二次热处理的温度不同于第一次热处理的温度；第二次热处理的条件为：温度1800±25℃，压强500±50torr，处理时间3±0.25小时；
步骤4、以步骤3处理过的碳化硅粉体作为生长源，利用物理气相运输法生长碳化硅晶体；
所述步骤4中，碳化硅单晶体的生长条件为：氮/氩气比N2/(N2+Ar)为3±1%，压强为10±5torr，生长温度为2200±25℃。
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