[发明专利]一种基于α-In2

权利要求书

1.一种基于α-In₂Se₃二维纳米片的湿度传感器，其特征在于，包括：α-In₂Se₃二维湿度敏感层、衬底、电极、银浆和两根银线；

所述α-In₂Se₃二维湿度敏感层、所述电极和所述银浆依次设置在所述衬底上表面；

所述两根银线均与银浆连接。

2.根据权利要求1所述的一种基于α-In₂Se₃二维纳米片的湿度传感器，其特征在于，所述α-In₂Se₃二维湿度敏感层为单片纳米片材料，且厚度为1-300nm。

3.根据权利要求1所述的一种基于α-In₂Se₃二维纳米片的湿度传感器，其特征在于，所述衬底为SiO₂/Si衬底或PET柔性衬底。

4.根据权利要求1所述的一种基于α-In₂Se₃二维纳米片的湿度传感器，其特征在于，所述电极为Au电极或Pt电极。

5.一种如权利要求1-4任一项所述基于α-In₂Se₃二维纳米片的湿度传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）将衬底清洗、烘干，备用；

（2）利用蓝膜胶带从块体α-In₂Se₃上粘下微量α-In₂Se₃，备用；

（3）将衬底反扣在粘有α-In₂Se₃的蓝膜胶带上并按压，得到α-In₂Se₃二维湿度敏感层；

（4）将掩膜版覆盖在α-In₂Se₃二维湿度敏感层上并固定，溅射电极；

（5）在溅射好的电极上涂抹银浆、连接银线，烘干银浆，得到基于α-In₂Se₃二维纳米片的湿度传感器。

6.根据权利要求5所述的一种基于α-In₂Se₃二维纳米片的湿度传感器的制备方法，其特征在于，步骤（1）的具体操作为：将衬底用无水乙醇擦拭至表面无脏污颗粒，再依次用去离子水和无水乙醇冲洗并烘干。

7.根据权利要求6所述的一种基于α-In₂Se₃二维纳米片的湿度传感器的制备方法，其特征在于，步骤（1）所述无水乙醇的质量浓度为90-95%；且所述烘干的具体操作为：采用氮气吹干。

8.根据权利要求5所述的一种基于α-In₂Se₃二维纳米片的湿度传感器的制备方法，其特征在于，步骤（4）中，所述掩膜版的线宽为50-100μm，溅射时间为20-60s，溅射功率为1-5mA、溅射次数为2-6次，且真空度为0.01-0.1mbar/Pa。

9.根据权利要求5所述的一种基于α-In₂Se₃二维纳米片的湿度传感器的制备方法，其特征在于，步骤（5）中，所述烘干温度为80-110℃，时间为5-30min。