[发明专利]一种数据自毁电路有效

专利信息
申请号: 202110126680.1 申请日: 2021-01-29
公开(公告)号: CN112906074B 公开(公告)日: 2023-10-27
发明(设计)人: 吴忠勋;冯海泓;朱冬青;薛强;王力 申请(专利权)人: 嘉兴中科声学科技有限公司
主分类号: G06F21/78 分类号: G06F21/78;G06F21/60
代理公司: 北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463 代理人: 徐丽
地址: 314001 浙江省嘉兴市南湖*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 数据 自毁 电路
【权利要求书】:

1.一种数据自毁电路,其特征在于,包括:供电电源、电源芯片、第一二极管、单片机、自毁电路、多个并联连接的存储器、每个所述存储器分别与对应的保险丝连接;所述供电电源分别与所述电源芯片和所述自毁电路连接;每个所述存储器分别通过所述保险丝与所述第一二极管和所述自毁电路连接;所述电源芯片分别与所述第一二极管和所述单片机连接;所述单片机分别与所述存储器和所述自毁电路连接;

所述电源芯片用于降低所述供电电源的电压,并利用降低后的电压对所述存储器和所述单片机供电;

所述单片机用于向所述自毁电路发送触发电平;

所述第一二极管用于在所述自毁电路接收到所述触发电平后,阻止所述供电电源的电流反向流至所述电源芯片;

所述自毁电路用于在接收到所述触发电平后导通,所述供电电源的电流分别经过所述自毁电路和所述保险丝流向所述存储器;

所述保险丝用于在所述存储器短路时断开。

2.根据权利要求1所述的数据自毁电路,其特征在于,所述自毁电路包括:MOS管;

所述MOS管用于在接收到所述触发电平后导通。

3.根据权利要求2所述的数据自毁电路,其特征在于,所述自毁电路还包括:第二二极管;

所述第二二极管用于阻止所述供电电源的电流经过所述电源芯片和所述第一二极管反向流至所述MOS管。

4.根据权利要求1所述的数据自毁电路,其特征在于,所述单片机还用于在向所述自毁电路发送触发电平之后的预设时间内,向所述自毁电路发送关闭信号;

所述自毁电路用于接收到所述关闭信号时断开。

5.根据权利要求1所述的数据自毁电路,其特征在于,还包括:压力传感器;所述压力传感器与所述单片机连接;

所述压力传感器用于将检测到的气压信号转换成电压信号,并且将所述电压信号发送给所述单片机;

所述单片机用于接收所述电压信号,并判断所述电压信号的电压值是否大于预设电压值;

所述电压信号的电压值大于所述预设电压值时,向所述自毁电路发送触发电平。

6.根据权利要求1所述的数据自毁电路,其特征在于,所述存储器包括以下任意一种或多种:安全数码卡、Micro SD卡、固态存储器、硬盘和闪存驱动器。

7.根据权利要求1所述的数据自毁电路,其特征在于,所述供电电源包括以下任意一种或多种:原电池、碱电池、锂电池和蓄电池。

8.根据权利要求1所述的数据自毁电路,其特征在于,所述供电电源提供的电压值大于15V且小于50V。

9.根据权利要求1所述的数据自毁电路,其特征在于,

所述单片机还用于将外部模拟信号转换成数字信号;将所述数字信号发送至所述存储器中进行数据存储。

10.根据权利要求1所述的数据自毁电路,其特征在于,所述降低后的电压大于3.3V且小于3.9V。

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