[发明专利]一种拓扑电极材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种拓扑电极材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤；

将硝酸钴、2-甲基咪唑和水混合，得到混合溶液；

将碳布浸渍于所述混合溶液中密封静置后依次进行清洗和烘干，得到Co₃O₄@C拓扑前驱体电极；

将所述Co₃O₄@C拓扑前驱体电极退火，得到所述拓扑电极材料。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硝酸钴以六水合硝酸钴的形式加入，所述碳布、六水合硝酸钴和2-甲基咪唑的质量比为0.1～0.5：2～10：5～25。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述烘干的温度为50～100℃。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述退火的温度为270～310℃，时间为1～2h。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述碳布使用前还包括进行预处理，所述预处理为依次进行的第一水洗、丙酮洗涤、第二水洗、乙醇洗涤、第三水洗和干燥，所述第一水洗的时间为10～30min，所述丙酮洗涤的时间为5～20min，所述第二水洗的时间为10～30min，所述乙醇洗涤的时间为5～20min，所述第三水洗的时间为10～30min。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述干燥的温度为50～100℃，时间为10～24h。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述清洗包括依次进行的水洗、乙醇浸泡和再水洗，所述乙醇浸泡的时间为5～10min。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述密封静置的时间为4～24h。

9.权利要求1～8任一项所述制备方法制得的拓扑电极材料。

10.权利要求9所述的拓扑电极材料在超级电容器中的应用。