[发明专利]高电子场效应晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种高电子场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

制备无凹栅槽的HEMT器件，包括：半导体衬底：位于所述半导体衬底表面的缓冲层；位于所述缓冲层背离所述半导体衬底一侧的势垒层；以及位于所述势垒层背离所述缓冲层一侧的钝化层；

对所述钝化层进行刻蚀，形成露出所述势垒层的第一窗口；

在所述第一窗口露出的所述势垒层表面形成氧化层；

在所述第一窗口露出的所述势垒层表面形成氧化层，具体为，采用O₂等离子体对势垒层的表面进行氧化处理，生成表面平整的氧化层；

基于所述第一窗口刻蚀去除所述氧化层以及部分所述势垒层；

对所述钝化层进行刻蚀的方法包括：

在所述钝化层背离所述势垒层的一侧表面形成电子束光刻胶层；

通过光刻工艺，在所述光刻胶层形成第二窗口；

基于所述第二窗口，对所述钝化层进行刻蚀，形成所述第一窗口；

所述势垒层包括：位于所述缓冲层背离所述半导体衬底一侧的AlGaN势垒层以及位于所述AlGaN势垒层背离所述缓冲层一侧表面的GaN帽层，在所述第一窗口露出的所述势垒层表面形成氧化层的方法包括：

基于所述钝化层以及所述光刻胶层，在所述势垒层表面形成所述氧化层。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，基于所述第一窗口刻蚀去除所述氧化层以及部分所述势垒层的方法包括：

基于所述钝化层以及所述光刻胶层，刻蚀去除所述氧化层以及部分所述势垒层。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，采用Cl₂和BCl₃气体，刻蚀去除所述氧化层以及部分所述势垒层。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，还包括：

在刻蚀去除所述氧化层以及部分所述势垒层后，去除所述光刻胶层。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述氧化层的厚度为2nm-5nm。

6.一种如权利要求1-5任一项所述制作方法制备的高电子场效应晶体管，其特征在于，所述高电子场效应晶体管包括：

半导体衬底；

位于所述半导体衬底表面的缓冲层；

位于所述缓冲层背离所述半导体衬底一侧的势垒层；

位于所述势垒层背离所述缓冲层一侧的钝化层，所述钝化层具有露出所述势垒层的第一窗口；

其中，所述势垒层背离所述缓冲层的表面具有基于所述第一窗口形成的凹槽，所述凹槽深度均匀。

7.根据权利要求6所述的高电子场效应晶体管，其特征在于，所述势垒层包括：

位于所述缓冲层背离所述半导体衬底一侧的AlGaN势垒层；

位于所述AlGaN势垒层背离所述缓冲层一侧表面的GaN帽层；

其中，所述凹槽的深度大于所述GaN帽层的厚度，且小于所述GaN帽层与所述AlGaN势垒层的厚度之和。