[发明专利]一种适应高集成度半导体模块的封装结构

说明书

本发明公开了一种适应高集成度半导体模块的封装结构，包括基板、焊盘、集成电路封装、金球、锡球、开关、滤波器和热固形树脂，所述焊盘设于基板上，所述集成电路封装设于焊盘上，所述金球设于滤波器上，所述锡球设于开关上，所述金球与集成电路封装相连，所述锡球与集成电路封装相连，所述热固形树脂设于开关和滤波器上。本发明属于半导体模块封装技术领域，具体是一种适应高集成度半导体模块的封装结构，降低锡球、铜柱因贴装精度不够导致卡球、虚焊的风险，解决了芯片金球凸点超声焊接的不稳定因素，基板的焊盘开窗不受间距大小受限制。

技术领域

本发明属于半导体模块封装技术领域，具体是指一种适应高集成度半导体模块的封装结构。

背景技术

随着市场需求，消费类电子产品的尺寸要求越来越小，所搭载核心半导体器件的集成度要求越来越高，对模块尺寸小型化要求越来越高，传统的封装已经无法满足高集成、高性能模块产品。目前常见的倒装方式有如下分类：采用芯片预先加工的凸点(锡球或铜柱)，通过倒装的方式，使芯片与基板上的焊盘导通，再进行高温回流炉焊接，达到芯片与基板的结合效果加固；1)声表面波模块产品若采用锡球倒装工艺，则因开关芯片凸点数量比较多，凸点与凸点之间间距太小，对应的基板焊盘开窗要小于凸点直径，所以倒装的时候芯片凸点与基板焊盘容易产生卡球，而造成虚焊，致使损耗变大或者完全失效。2)声表面波模块产品若采用铜柱倒装工艺，在高低温冲击可靠性条件，在铜柱与芯片结合处容易产生裂痕，导致产品损耗变大或者完全失效。采用芯片植金球(金凸点)，通过倒装的方式，借用设备的超声波能量、压力、温度等物理特性，使芯片与基板上的焊盘导通结合；声表面波模块产品若采用金球超声倒装工艺，则因金球高度一致性不受控，容易与基板结合处产生裂痕，导致产品损耗变大或者完全失效。

发明内容

针对上述情况，为克服现有技术的缺陷，本发明提供一种适应高集成度半导体模块的封装结构，降低锡球、铜柱因贴装精度不够导致卡球、虚焊的风险，解决了芯片金球凸点超声焊接的不稳定因素，基板的焊盘开窗不受间距大小受限制。

本发明采取的技术方案如下：本发明一种适应高集成度半导体模块的封装结构，包括基板、焊盘、集成电路封装、金球、锡球、开关、滤波器和热固形树脂，所述焊盘设于基板上，所述集成电路封装设于焊盘上，所述金球设于滤波器上，所述锡球设于开关上，所述金球与集成电路封装相连，所述锡球与集成电路封装相连，所述热固形树脂设于开关和滤波器上。

一种适应高集成度半导体模块的封装结构的封装方法，包括如下步骤：

1)准备芯片；

2)在部分芯片上植金球，在部分芯片上植锡球；

3)根据工艺技术要求，将芯片通过Flip-Chip方式贴装在基板上的焊盘上；

4)芯片贴装后经过高温回流炉，实现芯片与基板焊盘的结合；

5)在芯片的表面贴上热固型树脂进行保护。

进一步地，步骤1)所述的芯片包括开关和滤波器等。

本发明取得的有益效果如下：本方案一种适应高集成度半导体模块的封装结构，降低锡球、铜柱因贴装精度不够导致卡球、虚焊的风险，解决了芯片金球凸点超声焊接的不稳定因素，基板的焊盘开窗不受间距大小受限制。

附图说明

图1为本发明适应高集成度半导体模块的封装结构的分离状态示意图；

图2为本发明适应高集成度半导体模块的封装结构的焊接状态示意图。

其中，1、基板，2、焊盘，3、集成电路封装，4、金球，5、锡球，6、开关，7、滤波器，8、热固形树脂。

附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。

具体实施方式