[发明专利]半导体封装件及其制造方法在审
申请号: | 202110128305.0 | 申请日: | 2021-01-29 |
公开(公告)号: | CN113206073A | 公开(公告)日: | 2021-08-03 |
发明(设计)人: | 李晟观 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L25/18 | 分类号: | H01L25/18;H01L21/50;H01L23/498 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 赵南;张青 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体封装件,包括:
衬底;
位于所述衬底的上部上的第一缓冲器芯片和第二缓冲器芯片;
位于所述衬底的上部上的多个非易失性存储器芯片,所述多个非易失性存储器芯片包括第一非易失性存储器芯片和第二非易失性存储器芯片,所述第一非易失性存储器芯片电连接至所述第一缓冲器芯片,所述第二非易失性存储器芯片电连接至所述第二缓冲器芯片;
连接至所述衬底的下部的多个外部连接端子;以及
位于所述衬底内的再布线图案,所述再布线图案被构造为:将通过所述多个外部连接端子中的一个外部连接端子接收的外部电信号分叉为第一信号和第二信号,将所述第一信号发送至所述第一缓冲器芯片,并且将所述第二信号发送至所述第二缓冲器芯片。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件,还包括:
分叉芯片,
其中,所述分叉芯片从所述一个外部连接端子接收所述外部电信号,并且将接收的外部电信号发送至所述再布线图案。
3.根据权利要求2所述的半导体封装件,其中,所述分叉芯片位于所述衬底的上部上。
4.根据权利要求2所述的半导体封装件,其中,所述分叉芯片位于所述衬底内。
5.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述外部电信号在所述再布线图案中的分叉点处被分叉为所述第一信号和所述第二信号,
所述第一缓冲器芯片和所述第二缓冲器芯片在第一方向上彼此间隔开,并且
所述分叉点在位于所述再布线图案的在所述第一方向上的中心处。
6.根据权利要求1所述的半导体封装件,还包括:
控制器,
其中,所述外部电信号是从所述控制器接收的控制信号。
7.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述再布线图案包括:
被构造为将所述第一信号发送至所述第一缓冲器芯片的第一竖直再布线图案和第一水平再布线图案,以及
被构造为将所述第二信号发送至所述第二缓冲器芯片的第二竖直再布线图案和第二水平再布线图案,
所述第一竖直再布线图案和所述第二竖直再布线图案在第一方向上延伸,
所述第一水平再布线图案和所述第二水平再布线图案在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸,并且
所述第一水平再布线图案在所述第一方向上低于所述第二水平再布线图案。
8.根据权利要求7所述的半导体封装件,其中,所述再布线图案包括第三竖直再布线图案,所述第三竖直再布线图案包括连接至所述一个外部连接端子的第一端,并且所述第三竖直再布线图案在所述第一方向上延伸,并且
所述外部电信号在所述第三竖直再布线图案的另一第二端处被分叉。
9.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述第一缓冲器芯片和所述第二缓冲器芯片按照倒装芯片的形式连接至所述再布线图案。
10.一种半导体封装件,包括:
控制器,其发送包括第一通道信号和第二通道信号的控制信号;以及
接收所述第一通道信号的第一子非易失性存储器封装件和接收所述第二通道信号的第二子非易失性存储器封装件,
其中,所述第一子非易失性存储器封装件和所述第二子非易失性存储器封装件位于单个衬底上,并且
在衬底中从所述控制信号分叉出所述第一通道信号和所述第二通道信号。
11.根据权利要求10所述的半导体封装件,其中,所述第一通道信号的传输长度与所述第二通道信号的传输长度相同。
12.根据权利要求10所述的半导体封装件,还包括:
分叉芯片,
其中,所述分叉芯片接收所述控制信号并且将接收的控制信号分叉为所述第一通道信号和所述第二通道信号。
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