[发明专利]一种探测负离子在表面附近光剥离的磁A-B效应的方法

权利要求书

1.一种探测负离子在表面附近光剥离的磁A-B效应的方法，其特征在于，包括：

对所述负离子进行剥离得到一个剥离电子，并获取所述负离子发生剥离后像电荷的位置；

根据放置在负离子附近的弹性表面对所述剥离电子的运动轨迹进行调控，直至获取到从所述负离子出发并到达探测平面上目标点的剥离电子的第一条运动轨迹，以及从所述像电荷的位置出发经所述弹性表面反射后到达探测平面上目标点的剥离电子的第二条运动轨迹，第一条运动轨迹和第二条运动轨迹对应的两列电子波发生干涉在探测平面上的电子通量分布中磁A-B效应干涉图样；

当放置在负离子附近的螺线管通电后，调整以下参数中的至少一个：螺线管中磁通量的大小、探测平面与负离子之间的距离、负离子到弹性表面的距离以及入射光子的能量，计算探测平面上径向电子通量分布，直至获取到满足清晰度要求的磁A-B效应干涉图样。

2.如权利要求1所述的一种探测负离子在表面附近光剥离的磁A-B效应的方法，其特征在于，当放置在负离子附近的螺线管通电后，还包括：

对剥离电子的波函数进行相位调控得到探测平面上径向电子通量分布公式，利用径向电子通量分布公式计算探测平面上目标点的剥离电子通量分布。

3.如权利要求2所述的一种探测负离子在表面附近光剥离的磁A-B效应的方法，其特征在于，所述剥离电子的波函数为：

其中，为探测平面上目标点坐标，表示初始出射波，为出射点的坐标，A_j是波函数的振幅；L_j是第j条电子波的运动轨迹的长度，μ_j是马斯洛夫指数；S_j为第j条电子运动轨迹的经典作用量，j＝1,2。

4.如权利要求3所述的一种探测负离子在表面附近光剥离的磁A-B效应的方法，其特征在于，对剥离电子的波函数进行相位调控，具体包括：

波函数的振幅为：

第j条电子运动轨迹的经典作用量为是不存在螺线管时的作用量是螺线管外面的电磁场矢势；k是剥离电子的动量；

根据A_j和S_j的公式可知经相位调控后的剥离电子波函数为：

其中，c是光速，B＝0.31552，k_b＝0.2354a.u..，i为虚数单位。

5.如权利要求4所述的一种探测负离子在表面附近光剥离的磁AB效应的方法，其特征在于，探测平面上径向电子通量分布的计算模型为：

其中，ψ_f表示目标点的剥离电子波函数，表示电子波函数ψ_f的复共轭，为波函数ψ_f对r的偏导数，为波函数对r的偏导数。

6.如权利要求5所述的一种探测负离子在表面附近光剥离的磁A-B效应的方法，其特征在于，根据经相位调控后的剥离电子波函数得到探测平面上径向电子通量分布j_r的计算公式为：

其中，j_z为电子通量沿z轴方向的分量，j_r为径向电子通量分布，φ_B为螺线管中磁通量的大小。

7.如权利要求1所述的一种探测负离子在表面附近光剥离的磁A-B效应的方法，其特征在于，探测平面与负离子之间的距离Z₀为：5.29μm＜Z₀＜2.65mm。

8.如权利要求1所述的一种探测负离子在表面附近光剥离的磁A-B效应的方法，其特征在于，螺线管中磁通量的大小φ_B为：0≤φ_B＜1000a.u.。

9.如权利要求1所述的一种探测负离子在表面附近光剥离的磁A-B效应的方法，其特征在于，负离子到弹性表面的距离d为：100≤d＜600a.u.。

10.如权利要求1所述的一种探测负离子在表面附近光剥离的磁A-B效应的方法，其特征在于，入射光子的能量E_p为：1.5≤E_p≤4.0eV。