[发明专利]一种阳离子环保型半导体底部填充胶及其制备方法在审
申请号: | 202110128493.7 | 申请日: | 2021-01-29 |
公开(公告)号: | CN112831302A | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
发明(设计)人: | 许炳仲 | 申请(专利权)人: | 安田信邦(厦门)电子科技有限公司 |
主分类号: | C09J163/00 | 分类号: | C09J163/00;C09J11/04;C09J11/06;C09J11/08 |
代理公司: | 厦门致群财富专利代理事务所(普通合伙) 35224 | 代理人: | 刘兆庆 |
地址: | 361000 福建省厦门市湖里*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阳离子 环保 半导体 底部 填充 及其 制备 方法 | ||
本发明公开了一种阳离子环保型半导体底部填充胶及其制备方法,所述阳离子环保型半导体底部填充胶包括有如下重量百分比的组分:环氧树脂20~50%、阳离子引发剂0.1~5%、填料50~75%、硅烷偶联剂0.1~3%、增韧剂0.5~3%;本发明制得的阳离子环保型半导体底部填充胶,环保安全、与助焊剂具有良好的兼容性,流动速度快,固化后粘结性能强,确保了封装半导体芯片器件的可靠性,适用于FC‑BGA/CSP封装制程。
技术领域
本发明涉及填充胶技术领域,具体涉及一种阳离子环保型半导体底部填充胶及其制备方法。
背景技术
随着5G技术的普及以及芯片5纳米制程的商业化,3纳米的制程也在研发当中,并且很快也会进入批产阶段。进一步的推动了集成电路(IC)集成度的提高,随之相继出现了ULSIC特大规模集成电路(Ultra Large Scale Integrated circuits)和GSIC巨大规模集成电路(Giga Scale Integration)。
FC(Flip-chip)倒装芯片,即裸芯片封装技术之一,在LSI芯片的电极区制作好金属凸点(Bump,锡球焊点),然后把锡球焊点与印刷基板上的电极区进行回流焊接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同,是封装技术中体积较小、较薄的一种。LSI芯片的电极区上的焊点呈球栅阵列排列,以满足引脚数飞速的增多,又具有寄生参数减小、信号传输延迟小、使用频率大大提高等优点。
由于在芯片封装时,芯片与PCB板之间的间隙只有30~50μm甚至更小,PCB板上涂有助焊剂,要求底部填充胶与助焊剂有具良好的兼容性。以便在毛细填充时,流动速度快,固化后能形成充分均一、无空洞的胶层,粘结性能强,以确保封装半导体芯片器件的可靠性。然而,现有的填充胶与助焊剂兼容性较差,较难满足实际生产加工需求。
发明内容
本发明的目的在于提供一种阳离子环保型半导体底部填充胶及其制备方法,采用该方法制得的阳离子环保型半导体底部填充胶,环保安全、与助焊剂具有良好的兼容性,流动速度快,固化后粘结性能强,确保了封装半导体芯片器件的可靠性,适用于FC-BGA/CSP封装制程。
为实现上述目的,本发明采用以下技术方案:
一种阳离子环保型半导体底部填充胶,包括有如下重量百分比的组分:环氧树脂20~50%、阳离子引发剂0.1~5%、填料50~75%、硅烷偶联剂0.1~3%、增韧剂0.5~3%。
优选地,所述环氧树脂为双酚A环氧树脂、双酚F环氧树脂、脂环族环氧树脂中的一种或任意几种混合物。
优选地,所述环氧树脂为双酚A环氧树脂、双酚F环氧树脂和脂环族环氧树脂的混合物,所述双酚A环氧树脂、双酚F环氧树脂和脂环族环氧树脂添加的重量比为0.5:4:2。
优选地,所述脂环族环氧树脂为3,4-环氧环己基甲基3,4-环氧环己基甲酸酯、双((3,4-环氧环己基)甲基)己二酸酯、2-(3,4-环氧环己基)-5,5-螺(3,4-环氧环己基)-1,3-二氧六环中的一种或任意几种混合物;
其中,3,4-环氧环己基甲基3,4-环氧环己基甲酸酯的结构式为:
双((3,4-环氧环己基)甲基)己二酸酯的结构式为:
2-(3,4-环氧环己基)-5,5-螺(3,4-环氧环己基)-1,3-二氧六环的结构式为:
优选地,所述阳离子引发剂为元素周期表中VIIA主族元素二苯基鎓盐和元素周期表中VIA主族元素三苯基鎓盐中的一种或任意几种混合物。
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