[发明专利]采用PCB工艺制备的微芯片爆炸箔起爆器及其制备方法有效
申请号: | 202110128531.9 | 申请日: | 2021-01-29 |
公开(公告)号: | CN112923801B | 公开(公告)日: | 2022-05-20 |
发明(设计)人: | 朱朋;杨智;沈瑞琪 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学 |
主分类号: | F42B3/12 | 分类号: | F42B3/12;F42B3/195 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 张玲 |
地址: | 210094 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 采用 pcb 工艺 制备 芯片 爆炸 起爆 及其 方法 | ||
本发明属于点火和起爆领域,具体涉及一种采用PCB工艺的微芯片爆炸箔起爆器及其制备方法。包括如下步骤:(1)制备Cu桥箔层:在一块双面覆铜板的顶层采用内层光刻和内层刻蚀的PCB工艺实现桥箔层的图形化;(2)压合:将双面覆铜板和另一块PCB基板,通过PP片压合成为一体;(3)在PCB基板中制备飞片层、加速膛和药柱室;(4)制备过孔:采用钻孔和镀通孔技术在压合后的基片和基板中制备过孔,实现电路的连接;(5)制备底部焊盘。本发明采用PCB工艺批量制备微芯片爆炸箔起爆器,所得McEFI一致性好、体积小、价格低,并且抗高过载,有利于拓宽EFI的应用范围,使得武器系统都能使用安全可靠的McEFI作为点火器和起爆器。
技术领域
本发明属于直列式钝感点火和起爆技术领域,具体涉及一种采用PCB工艺制备的微芯片爆炸箔起爆器及其制备方法。
背景技术
爆炸箔起爆器(Exploding Foil Initiator, EFI)由基片、桥箔、飞片层、加速膛、药柱室和炸药柱组成,由于序列中无起爆药且桥箔与炸药柱之间不直接接触,因此EFI是一种极其安全和可靠的直列式点火和起爆装置。具体而言,在由脉冲高压电容、高压开关和EFI组成的电容放电单元中,高压开关控制高压电容放电,释放短脉冲大电流;电流流经桥箔,使桥箔发生电爆炸并产生大量气体和等离子体;迅速膨胀的气体和等离子体在加速膛口剪切飞片,进一步在加速膛内驱动飞片,出加速膛口后飞片达到数km/s的速度;高速飞片冲击紧贴加速膛口的炸药,实现点火或者起爆功能。传统的EFI采用手动对准安装分立元件的方式制备,导致效率低、精度低、一致性差、成本高,并且产品不具备耐高冲击过载的能力,这些缺点严重制约了EFI在低附加值弹药中的应用。
PCB工艺是一种能够以低成本批量制备电子线路的成熟技术,既是电子元器件,又是电气连接的提供者,支持组件和功能的模块化集成。PCB工艺尤其适用于多层板的制作,加大了设计灵活性,缩小了装置体积,提高了自动化水平。因此已经有不少研究利用该工艺研制了各种机电相结合的芯片装置(lab-on-PCB chips)。近年来,随着超细微孔和盲埋孔等钻孔加工及其关键技术的突破,使得PCB工艺加工精度大幅提升、成本极大降低,拓宽了PCB工艺的应用范围。
发明内容
本发明在于提供一种采用PCB工艺制备的微芯片爆炸箔起爆器及其制备方法。
实现本发明目的的技术解决方案为:一种采用PCB工艺制备微芯片爆炸箔起爆器的方法,包括如下步骤:
步骤(1):采用电镀工艺制备PCB双面覆铜板,PCB双面覆铜板作为McEFI的基片;
步骤(2):制备Cu桥箔层:在一块基片的顶层采用内层光刻和内层刻蚀的PCB工艺实现桥箔层的图形化;
步骤(3):压合:将基片和一块PCB基板,通过两者之间设置的PP片压合为一体;
步骤(4):制备飞片层、加速膛和药柱室:在PCB基板中通过控深钻工艺制备中空相连的加速膛和药柱室,并且预留一定厚度的基板作为飞片层的一部分,飞片层的总厚度为PP片和控深预留基板的厚度之和;
步骤(5):制备过孔:采用钻孔和镀通孔技术在压合后的基片和PCB基板中制备过孔,实现电路的连接;
步骤(6):制备底部焊盘:采用光刻和刻蚀工艺在基片的底层制备焊盘。
进一步的,步骤(1)中采用的PCB双面覆铜板的厚度为0.5mm-5mm。
进一步的,步骤(2)制备的Cu桥箔层包括焊盘区,截面积最小的爆炸桥箔,以及连接焊盘区和桥箔的截面积逐渐减小的过渡区。
进一步的,Cu桥箔层的焊盘区尺寸为:长0.5mm-10mm×宽1mm-20mm;过渡区为截面减缩区域,长度为0.5mm-20mm;桥箔的横截面为矩形、方波形、S形、“万”字形的任一种或者任几种的串、并联形式,等效边长为0.1mm-1mm,厚度为2μm-36μm。
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