[发明专利]MXene纳米片负载稀土发光纳米晶的复合材料、制备方法与应用在审
申请号: | 202110129141.3 | 申请日: | 2021-01-29 |
公开(公告)号: | CN112940727A | 公开(公告)日: | 2021-06-11 |
发明(设计)人: | 孙丽宁;孙松强;陈雨;王卓 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | C09K11/85 | 分类号: | C09K11/85;A61K41/00;A61K49/00;A61K49/08;A61K49/18;A61P35/00 |
代理公司: | 广州高炬知识产权代理有限公司 44376 | 代理人: | 孙明科 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | mxene 纳米 负载 稀土 发光 复合材料 制备 方法 应用 | ||
1.一种MXene纳米片负载稀土发光纳米晶的复合材料,其特征在于,其为表面带负电的二维MXene纳米片与无表面配体且带正电性的稀土发光纳米晶通过静电吸附复合而成,并进一步改性的水溶性纳米片复合材料。
2.如权利要求1所述的MXene纳米片负载稀土发光纳米晶的复合材料,其特征在于,所述二维MXene纳米片与稀土发光纳米晶之间的质量比为:(5~10):(10~50)。
3.如权利要求1所述的MXene纳米片负载稀土发光纳米晶的复合材料,其特征在于,所述二维MXene纳米片为:碳化铌(Nb2C)、碳化钛(Ti3C2)以及碳化钽(Ta4C3)之一。
4.如权利要求1所述的MXene纳米片负载稀土发光纳米晶的复合材料,其特征在于,所述的稀土发光纳米晶均匀分散在二维MXene纳米片表面,所述纳米片的平均粒径为400~500nm。
5.一种制备权利要求1~4之一所述MXene纳米片负载稀土发光纳米晶的复合材料的方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)将设定体积的表面包覆有NaGdF4外壳的稀土发光纳米晶环己烷分散液,加入其4倍体积的去离子水中,以浓盐酸调节pH值为2~4,室温剧烈搅拌2~4h除去表面油酸配体,得到无表面配体的水溶性稀土发光纳米晶,之后分散到无水乙醇中,形成乙醇分散液;
(2)然后,将二维MXene纳米片乙醇溶液置于密闭玻璃瓶中缓慢搅拌,同时通高纯氩气保护,搅拌过程中加入上述无表面配体的稀土发光纳米晶乙醇分散液,之后继续在氩气保护下搅拌6~10h,再用无水乙醇洗涤、离心,得到未修饰的二维MXene纳米片负载稀土发光纳米晶的复合材料,将其分散到无水乙醇中,形成第一分散液;
(3)接着将设定质量的聚乙烯吡咯烷酮PVP溶解于设定体积的无水乙醇中,向第一分散液中边缓慢搅拌边加入该PVP乙醇溶液,并在氩气保护密闭条件下,水浴50~60℃搅拌6~12h,冷却至室温,离心,用无水乙醇洗涤,得到PVP修饰的水溶性二维MXene纳米片负载稀土发光纳米晶的复合材料。
6.如权利要求5所述的MXene纳米片负载稀土发光纳米晶的复合材料的制备方法,其特征在于,所述二维MXene纳米片负载稀土发光纳米晶的复合材料与PVP的质量比为1:(5~20)。
7.如权利要求1~4之一所述MXene纳米片负载稀土发光纳米晶的复合材料的应用,其特征在于,将其用作制备近红外光介导的光热纳米治疗剂的材料。
8.如权利要求1~4之一所述MXene纳米片负载稀土发光纳米晶的复合材料的应用,其特征在于,将其用作制备荧光成像和磁共振成像造影剂的材料。
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